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062 半導(dǎo)體器件及其制造方法與電容器結(jié)構(gòu)及其制造方法
[摘要] 本技術(shù)提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法與電容器結(jié)構(gòu)及其制造方法。該半導(dǎo)體器件包括轉(zhuǎn)接板和半導(dǎo)體芯片。轉(zhuǎn)接板包括：Si襯底；多個(gè)通路，通過絕緣材料在穿過Si襯底的相應(yīng)通孔中設(shè)置；薄膜電容器，設(shè)置于Si襯底的第一主表面上，以使其電連接至通路；以及多個(gè)外部連接端子，設(shè)置于Si襯底的第二主表面上，以使其電連接至通路。第二主表面背對第一主表面。半導(dǎo)體芯片設(shè)置于第一主表面或第二主表面上，以使其電連接至通路。其中Si襯底的厚度小于通孔的直徑。由此，可提供可運(yùn)行及可低成本制造的半導(dǎo)體器件。
021 固體電解電容器及其制造方法
[摘要] 本技術(shù)涉及在閥作用金屬上形成的介電膜上包含在聚合物鏈之間具有交聯(lián)的自摻雜型導(dǎo)電聚合物層的固體電解電容器。本技術(shù)能夠穩(wěn)定地制造適用于疊置型固體電解電容器的薄電容器元件，其表現(xiàn)出更少的短路故障和更低的元件形狀波動(dòng)，這能夠增加固體電解電容器芯片中的疊置元件的數(shù)量以制造具有高電容并具有更低的等效串聯(lián)電阻波動(dòng)的電容器。
059 固體電解電容器及其制造方法
[摘要] 本技術(shù)涉及制造固體電解電容器的方法，其中通過包括下列步驟的方法提供固體電解質(zhì)層：將其上具有介電膜層的起閥作用的金屬浸入含單體的溶液中、然后干燥的步驟(步驟1)，將所述起閥作用的金屬浸入含氧化劑的溶液中、然后干燥的步驟(步驟2)，和將所述起閥作用的金屬浸入不含氧化劑的溶液中、然后干燥的步驟(步驟3)；還涉及由此制成的固體電解電容器。根據(jù)本技術(shù)，可以穩(wěn)定地制造具有減少的短路故障和較低的元件形狀波動(dòng)的薄電容器元件，可以提高堆疊在固體電解電容器芯片中的電容器元件的數(shù)以實(shí)現(xiàn)高的電容，并可以提供具有較低等效串聯(lián)電阻波動(dòng)的適用于固體20電解多層電容器的固體電解電容器元件。
042 半導(dǎo)體器件及其制造方法與電容器結(jié)構(gòu)及其制造方法
[摘要] 本技術(shù)提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法與電容器結(jié)構(gòu)及其制造方法。該半導(dǎo)體器件包括轉(zhuǎn)接板和半導(dǎo)體芯片。轉(zhuǎn)接板包括：Si襯底；多個(gè)通路，通過絕緣材料在穿過Si襯底的相應(yīng)通孔中設(shè)置；薄膜電容器，設(shè)置于Si襯底的第一主表面上，以使其電連接至通路；以及多個(gè)外部連接端子，設(shè)置于Si襯底的第二主表面上，以使其電連接至通路。第二主表面背對第一主表面。半導(dǎo)體芯片設(shè)置于第一主表面或第二主表面上，以使其電連接至通路。其中Si襯底的厚度小于通孔的直徑。由此，可提供可運(yùn)行及可低成本制造的半導(dǎo)體器件。
045 包括具有高介電常數(shù)的嵌入式電容器的印刷電路板及其制造方法
[摘要] 所提供的是一種包括嵌入式電容器的PCB及其制造方法。電介質(zhì)層是使用具有高電容的陶瓷材料而形成的，由此確保電容器的每個(gè)都具有對應(yīng)于去耦芯片電容器電容的高介電常數(shù)。
051 芯片型電容器制造用托盤及芯片型電容器制造方法及裝置
035 固體電解電容器上的電容元件及該電容元件的制造方法以及采用了該電容元件的固體電解電容器
052 積層陶瓷電容器及其制造方法
005 包括嵌入有電容器的陶瓷 有機(jī)混合襯底的電子組件以及制造方法
019 集成電路中“金屬-絕緣體-金屬”電容器結(jié)構(gòu)及其制造方法
039 波浪狀電容器及其制造方法
067 多元芯片型積層電容器的制造方法
048 具有環(huán)形硅退耦電容器的集成電路芯片封裝及其制造方法
063 電容器芯片及其制造方法
011 芯片型厚膜電容器及其制造方法
009 固體電解電容器的電容器芯及其制造方法
068 一種改良的芯片型電解電容器的制造方法
040 鐵電電容器及積體半導(dǎo)體內(nèi)存芯片之制造方法
030 芯片式固體電解質(zhì)電容器及其制造方法
041 金屬帽式的同軸芯片電容器制造方法
053 內(nèi)置有電容器的半導(dǎo)體裝置及其制造方法
060 具有集成旁路電容器的顯示基板、顯示裝置及其制造方法
015 固體電解電容器及其制造方法
058 具有混合表面取向襯底的溝槽電容器
079 基于單片機(jī)和組態(tài)的電容器投切控裝置
061 芯片型固態(tài)電解電容器
038 存儲(chǔ)器字線結(jié)構(gòu)與電容器重疊偏移的測試元件及測試方法
036 具有噪音及靜電防護(hù)功能的駐極體電容器話筒
068 一種改良的芯片型電解電容器的制造方法
078 芯片型電容器高壓篩選裝置
010 芯片型鋁電解電容器
046 多層芯片電容器
049 納米尺寸的電池、電容器及其制備方法
024 具有垂直極板電容器的集成電路芯片及制造電容器的方法
047 半導(dǎo)體芯片中具有降低的電壓相關(guān)性的高密度復(fù)合金屬-絕緣體-金屬電容器
075 可調(diào)節(jié)的芯片上子電容器設(shè)計(jì)
074 具有高Q晶片背面電容器的半導(dǎo)體集成電路器件
020 一種陶瓷電容器的防潮生產(chǎn)工藝
017 具有金屬電容器的非易失性存儲(chǔ)單元及電子系統(tǒng)
076 一種色環(huán)標(biāo)示的瓷介電容器
054 多層芯片電容器
029 結(jié)構(gòu)改良的電容器加工吸頭
023 電容器裝載型半導(dǎo)體器件
073 高成品率高密度芯片上電容器設(shè)計(jì)
027 超小型芯片電容器
002 帶開關(guān)場效應(yīng)電容器的可集成RF濾波器
012 帶疊置電容器的存儲(chǔ)器單元
026 一種數(shù)字控制可變電容器的設(shè)計(jì)方法
044 具有電壓調(diào)節(jié)器和電容器的噴墨打印頭加熱器芯片
022 集成電路芯片內(nèi)電容器的放電控制電路
077 硅基液晶顯示芯片的像素單元存儲(chǔ)電容器
037 共用片上去耦電容器和散熱器
018 具有溝道內(nèi)銅漂移阻擋層的單掩膜MIM電容器和電阻器
072 對稱MIM電容器設(shè)計(jì)
008 具有電容器的可層疊的電路板結(jié)構(gòu)
064 表面安裝芯片電容器
082 芯片中的電容器
065 一種迭層式芯片型固態(tài)電解電容器
034 超低溫?zé)Y(jié)的陶瓷介質(zhì)材料、其制備方法及所得的電容器
028 介質(zhì)可變電容器
080 智能集成電力電容器
033 用于制造多層陶瓷電容器的方法
070 金屬-絕緣-金屬型電容器、存儲(chǔ)器單元及其形成方法
081 高壓電容器自動(dòng)投切裝置
001 具有球柵陣列接線端的交叉電容器
003 固體電解電容器及其制造方法
032 一種軸向引線色環(huán)瓷介電容器及其制造工藝方法
013 一種金屬化有機(jī)薄膜電容器及其制作方法
031 芯片型電容器上板隔離防護(hù)處理方法
014 一種薄膜電容器及其制作方法
016 半導(dǎo)體駐極體電容器麥克風(fēng)
055 電容器結(jié)構(gòu)及多層電容器結(jié)構(gòu)
069 超高電容值集成電容器結(jié)構(gòu)
004 低電感格柵陣列電容器
007 固體電解電容器中電容芯的結(jié)構(gòu)及其壓制成型方法和設(shè)備
056 芯片型電容器上板隔離防護(hù)處理方法
025 集成電力電容器
050 基于單片機(jī)和組態(tài)的電容器投切控系統(tǒng)
057 積層電容器
006 固體電解電容器的結(jié)構(gòu)及固體電解電容器的制作方法
043 薄型芯片電解電容器構(gòu)造
071 一種賤金屬銅電極漿料及所得電容器的制備方法
以上82項(xiàng)技術(shù)包括在一張光盤內(nèi)
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