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金屬電容制作方法｜工藝-金屬電容器,電容,金屬類（168元/全套）
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《金屬電容制作方法｜工藝-金屬電容器,電容,金屬類》
1-41 一種負載過渡金屬提高活性炭電極比電容的方法
2-41 在鑲嵌制程中形成金屬電容器的方法
3-41 利用鑲嵌制程形成金屬電容器的方法及其產(chǎn)品
4-41 金屬電容器的構(gòu)造及其制造方法
5-41 溫度穩(wěn)定型的賤金屬內(nèi)電極多層陶瓷電容器介電材料
6-41 用于賤金屬電極的高介電、抗還原電容介質(zhì)材料
7-41 利用鑲嵌制程形成金屬電容器的方法及其產(chǎn)品
8-41 用作賤金屬電極多層陶瓷電容器電極的鎳粉
9-41 在鑲嵌制程中形成金屬電容器的方法及其產(chǎn)品
10-41 金屬－絕緣體－金屬電容器制造方法
11-41 具有金屬-絕緣體-金屬電容器的集成元件
12-41 金屬-絕緣體-金屬電容器及其制作方法
13-41 一種摻雜廉價金屬提高中孔活性炭比電容方法
14-41 在用于功率放大器的深度亞微米金屬氧化物半導體中的組合的晶體管-電容器結(jié)構(gòu)
15-41 用于功率電容器的電容器元件和金屬化膜以及包含該元件的功率電容器
16-41 在銅鑲嵌制程中形成金屬-絕緣-金屬型(MIM)電容器的方法
17-41 高密度堆疊金屬電容元件的制造方法
18-41 賤金屬電極多層陶瓷電容器介質(zhì)材料及其制備方法
19-41 一種金屬-絕緣層-金屬電容結(jié)構(gòu)及其制作方法
20-41 具有高介電常數(shù)與低漏電流特性的金屬電容器
21-41 制造非晶金屬氧化物膜的方法以及制造具有非晶金屬氧化物膜的電容元件和半導體器件的方法
22-41 金屬-絕緣物-金屬電容的集成電路裝置及其制作方法
23-41 帶有陶瓷放電容器的金屬鹵化燈
24-41 中孔碳材料,碳金屬氧化物復合材料和使用它們的電化學電容器
25-41 金屬箔繞制的矮型電感-電容功率處理器
26-41 金屬粉的制造方法、金屬粉、用其的導電糊及疊層陶瓷電容器
27-41 兩面金屬化膜的制造方法以及使用它的金屬化膜電容器
28-41 金屬化膜電容器
29-41 形成金屬-絕緣層-金屬電容器的方法
30-41 制造用于微調(diào)電容器的金屬動片的方法
31-41 帶有MIS(金屬-絕緣體-半導體)_集成電容器的單片集成電路
32-41 用于金屬封裝的變電站中線狀導體電勢測量電路的電容傳感器
33-41 一種具有陶瓷放電容器的金屬鹵化物放電燈的制造方法
34-41 制造放電燈及放電容器和燈的真空密封焊接陶瓷和金屬匹配件的方法
35-41 具有金屬氧化物電介質(zhì)的電容器
36-41 金屬化薄膜和包含該金屬化薄膜的電容器
37-41 金屬鍍膜電容器用鋅沉積基材及其制造方法
38-41 具有“金屬上的電容器”結(jié)構(gòu)的半導體器件的制造方法
39-41 用于電容器的金屬化膜
40-41 金屬膜電容器和其所用金屬化膜的制造設(shè)備和方法
41-41 敷金屬膜片電容器及其制造方法
42-41 膜電容器和金屬化膜
43-41 金屬間電容器及其制造方法
44-41 敷金屬薄膜及薄膜電容器
45-41 鋅蒸鍍薄膜及金屬化薄膜電容器
46-41 具有金屬－絕緣體－金屬電容的半導體器件
47-41 金屬蒸鍍薄膜、其制造方法及使用它的電容器
48-41 用于同時形成硅上金屬電容器的最佳透過注入
49-41 互補金屬氧化物半導體工藝中的線性電容器結(jié)構(gòu)
50-41 具有最小覆蓋電容的金屬氧化物半導體場效應晶體管
51-41 埋入的金屬雙重鑲嵌板電容器
52-41 制造燒結(jié)耐火金屬層,特別是土酸金屬－電解質(zhì)電容器或－陽極用膏劑
53-41 可變電容器及可變電容器用金屬轉(zhuǎn)子的制造方法
54-41 一種金屬化有機薄膜電容器及其制作方法
55-41 半導體器件的包封金屬結(jié)構(gòu)及包括該結(jié)構(gòu)的電容器
56-41 金屬與半導體接觸電容脈沖發(fā)電裝置
57-41 金屬層或金屬硅化物層結(jié)構(gòu)化法以及用該法制造的電容器
58-41 耐高溫金屬氮化物制成的電容器基片
59-41 耐熱性電容器用聚酯膜、其金屬化膜和用該膜的耐熱性薄膜電容器
60-41 深亞微米互補型金屬氧化半導體的交指形狀多層電容器結(jié)構(gòu)
61-41 多晶硅-絕緣層-金屬結(jié)構(gòu)的電容及其制作方法
62-41 雙電容金屬氧化物半導體硅基高速高調(diào)制效率電光調(diào)制器
63-41 具有金屬電容器的非易失性存儲單元及電子系統(tǒng)
64-41 金屬化薄膜電容器和汽車用逆變器平滑用電容器
65-41 金屬-絕緣體-金屬電容器及制造方法
66-41 高能量密度的水系釕基復合金屬氧化物超級電容器
67-41 一種金屬化膜電容器灌封蠟
68-41 納米摻雜制備賤金屬內(nèi)電極多層陶瓷片式電容器介質(zhì)材料
69-41 化學包覆制備賤金屬內(nèi)電極多層陶瓷片式電容器介質(zhì)材料
70-41 使用厚頂部電極在金屬箔上制造薄膜電容器的方法
71-41 金屬-絕緣體-金屬電容器及其制造方法
72-41 集成電路中“金屬-絕緣體-金屬”電容器結(jié)構(gòu)及其制造方法
73-41 一種金屬化聚酯薄膜電容及其制造方法及用途
74-41 CMOSBiCMOS工藝中的金屬電容
75-41 一種金屬電容耦合OTP器件及其制造方法
76-41 測量金屬氧化物半導體組件的本征電容的方法
77-41 金屬-絕緣層-金屬電容器及其制造方法
78-41 含氮均勻的閥金屬粉末及其制造方法,閥金屬坯塊和閥金屬燒結(jié)體以及電解電容器的陽極
79-41 金屬-絕緣-金屬型電容器及其制作方法
80-41 利用回蝕制造的金屬-絕緣體-金屬電容器
81-41 堆疊式金屬-氧化物-金屬電容器結(jié)構(gòu)
82-41 電容器安全型金屬化極板
83-41 金屬化電容器的熱平衡裝置
84-41 電容器用高壓金屬化聚酯膜鍍膜機
85-41 小型精密金屬化聚丙烯電容器
86-41 干式防爆保護金屬化電容器
87-41 金屬化聚丙烯薄膜介質(zhì)電容器
88-41 金屬化聚丙烯高壓電容器
89-41 高壓金屬化聚酯膜電容器
90-41 金屬化聚丙烯逆變換向電容器
91-41 金屬化聚丙烯膜介質(zhì)安全跨接電容器
92-41 電容器的金屬化膜卷繞機
93-41 金屬化膜素子殼式電容器自動熔接裝配機
94-41 干式金屬化膜高壓并聯(lián)電容器
95-41 電容器金屬化膜分切機之賦能裝置
96-41 大功率中高頻金屬化薄膜電容器
97-41 金屬化安全膜電容器
98-41 低噪聲系列金屬化聚丙烯交流電容器
99-41 金屬化薄膜電容器
100-41 圓柱形油浸全膜雙面金屬化薄膜電極自愈式電容器
101-41 一種金屬化薄膜電容器
102-41 一種防爆性能良好的金屬化薄膜電容器
103-41 銅制金屬-絕緣體-金屬電容器
104-41 金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器結(jié)構(gòu)及其制作方法
105-41 閥金屬粉末和使用該閥金屬粉末的固體電解電容器
106-41 金屬-絕緣體-金屬電容器及互連結(jié)構(gòu)
107-41 包含金屬-絕緣體-金屬電容器之集成半導體產(chǎn)品
108-41 具金屬-絕緣體-金屬電容器之集成半導體產(chǎn)品
109-41 利用自行對準金屬硅化物制程形成多晶硅電容器的方法
110-41 金屬-絕緣體-金屬電容結(jié)構(gòu)及其制法
111-41 形成金屬-絕緣體-金屬電容的方法
112-41 堆疊式金屬-絕緣體-金屬電容器及其制造方法
113-41 具有金屬-絕緣體-金屬電容器的半導體器件及制造方法
114-41 增加金屬-絕緣體-金屬電容器的單位面積電容密度的方法
115-41 用于將銅與金屬-絕緣體-金屬電容器結(jié)合的方法和結(jié)構(gòu)
116-41 復合金屬材料及其制造方法、蝕刻的金屬材料及其制造方法、以及電解電容器
117-41 增大硅片單位面積金屬-電介質(zhì)-金屬電容容量的方法
118-41 用于布局虛擬金屬填充物同時保證器件匹配和或限制電容增加的系統(tǒng)和方法
119-41 金屬絕緣體金屬電容器
120-41 在金屬材料表面形成含電介質(zhì)填料的聚酰亞胺覆蓋膜的方法和印刷配線板用的電容器層形成用的包銅層壓板的制造......
121-41 金屬-絕緣體-金屬電容器之電極的制造方法
122-41 用于電容器的金屬箔片、使用該箔片的固體電解電容器和箔片和電容器的生產(chǎn)方法
123-41 圓片形高壓瓷介電容器賤金屬化學沉積法全電極制造工藝
124-41 金屬薄膜及其制造方法、電介質(zhì)電容器及其制造方法及半導體裝置
125-41 雙鑲嵌結(jié)構(gòu)中的金屬-絕緣體-金屬電容結(jié)構(gòu)及制造方法
126-41 土酸金屬電解質(zhì)電容器或陽極
127-41 具有金屬-金屬電容器的集成電路的結(jié)構(gòu)及其形成方法
128-41 干式小型高壓金屬化有機薄膜電容器
129-41 集成的金屬-絕緣體-金屬電容器和金屬柵晶體管及方法
130-41 金屬電容器的制造方法
131-41 具有薄金屬層的陶瓷生片及制造陶瓷電容器的方法
132-41 金屬與半導體接觸電容熱電池
133-41 包括金屬-絕緣體-金屬電容器的集成電路裝置和半導體裝置
134-41 用于同時形成硅上金屬電容器的最佳透過注入
135-41 在同一層次處制造金屬絕緣體金屬電容器和電阻器的方法
136-41 整合鑲嵌制程于制造金屬-絕緣物-金屬型電容的方法
137-41 表面處理的超細金屬粉末及其制法、該粉末的導電金屬膏和利用該膏的多層陶瓷電容器
138-41 多層叉合金屬電容結(jié)構(gòu)
139-41 鋁材質(zhì)堆迭式金屬電容器及電感器的集成制程方法
140-41 金屬帽式的同軸芯片電容器制造方法
141-41 金屬鎳粉，其制備方法，導電膏和多層陶瓷電容器
142-41 含氮金屬粉末及其制造方法和采用該粉末的多孔質(zhì)燒結(jié)體及固體電解電容器
143-41 酸土金屬的合金構(gòu)成的金屬箔和具備該金屬箔的電容器
144-41 形成含有金屬的材料和電容器電極的方法以及電容器結(jié)構(gòu)
145-41 金屬氧化物碳電化學電容器及電極的制作方法
146-41 用于金屬滲氮工藝氮勢測量的單邊式電容傳感器
147-41 自對準雙側(cè)面垂直金屬-絕緣體-金屬電容
148-41 金屬蒸鍍薄膜電容器
149-41 起閥作用的金屬的燒結(jié)體、其制造方法和固體電解電容器
150-41 抗氧化，耐高壓多層金屬化電容器用薄膜
151-41 半導體元件之電容器與金屬柵極之制造方法
152-41 溝槽式金屬-絕緣層-金屬電容結(jié)構(gòu)與其形成方法
153-41 金屬化薄膜電容器
154-41 金屬化膜電容器
155-41 形成金屬-絕緣體-金屬電容器的方法及其形成的電容器
156-41 一種毛刺金屬帶集流體及其在超級電容器中的應用
157-41 一種漸變方阻金屬化膜和包含該金屬化膜的電容器
200410052059 一種雙面金屬化薄膜電容器芯子元件
159-41 半導體芯片中具有降低的電壓相關(guān)性的高密度復合金屬-絕緣體-金屬電容器
160-41 一種金屬電容的刻蝕方法
161-41 包括金屬-絕緣體-金屬電容器排列的半導體器件
162-41 金屬-金屬電容的制作方法
163-41 提高金屬-介質(zhì)-金屬結(jié)構(gòu)電容性能的方法
164-41 基于比例式電容測角原理的數(shù)字金屬浮子流量計
165-41 細晶賤金屬內(nèi)電極多層陶瓷片式電容器介質(zhì)材料
166-41 鑲嵌式金屬絕緣體金屬電容結(jié)構(gòu)與自對準氧化工藝
167-41 使用離子性液體的金屬表面氧化皮膜形成方法,電解電容器及其電解質(zhì)
168-41 金屬-絕緣層-金屬電容的制作方法
169-41 金屬陶瓷聚合物復合材料及制造嵌入電容器的方法
170-41 利用金屬閃光層控制電容器界面特性的方法
171-41 高性能金屬絕緣體金屬結(jié)構(gòu)的電容器及其制備方法
172-41 含氮金屬粉末及其制造方法和采用該粉末的多孔質(zhì)燒結(jié)體及固體電解電容器
173-41 在含銅金屬化上形成電介質(zhì)的工藝和電容器裝置
174-41 具有均化電容的高壓和低導通電阻橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管
175-41 球化造粒凝聚金屬粉末的方法,金屬粉末和電解電容器陽極
176-41 一種半導體金屬電容的結(jié)構(gòu)及其刻蝕方法
177-41 形成金屬-絕緣體-金屬電容器的方法及所形成器件
178-41 陶瓷介電材料及其制備方法及卑金屬積層陶瓷電容器
179-41 金屬-絕緣-金屬結(jié)構(gòu)的電容器、半導體裝置及制造方法
180-41 半導體元件及制造鑲嵌結(jié)構(gòu)中的金屬絕緣金屬電容的方法
181-41 使用硬掩膜金屬絕緣體金屬電容器的形成
182-41 包括帶有金屬電極的電容器的集成電路以及制造這種電容器的方法
183-41 金屬電容結(jié)構(gòu)及其制造方法
184-41 一種高密度可擦寫的金屬-絕緣體-硅電容器結(jié)構(gòu)
185-41 鈦酸鋇基金屬-電介質(zhì)復合陶瓷電容器介質(zhì)及其制備方法
186-41 半導體金屬電容
187-41 一種半導體金屬電容
188-41 金屬箔上受體摻雜的鈦酸鋇基薄膜電容器及其制造方法
189-41 金屬-絕緣體-金屬電容器
190-41 包括金屬絕緣體金屬電容器的集成電路及其制造方法
191-41 金屬-絕緣體-金屬電容結(jié)構(gòu)及其制造方法
192-41 減小溫升的金屬化安全膜電力電容器電極結(jié)構(gòu)
193-41 一種高介金屬-電介質(zhì)復合陶瓷電容器介質(zhì)及其制備方法
194-41 集成電路的制造方法、金屬-絕緣層-金屬電容形成方法
195-41 金屬-絕緣層-金屬電容器的制造方法
196-41 金屬化安全膜電容器
197-41 復合式金屬氧化物半導體電容以及鎖相環(huán)
198-41 一種炭基金屬氮化物、碳化物超電容材料的制備方法
199-41 金屬電容式微加速度計
200-41 一種新型金屬-絕緣層-金屬電容及其制造方法
201-41 形成光刻膠層壓基板、電鍍絕緣基板、電路板金屬層表面處理及制造多層陶瓷電容器的方法
202-41 薄膜金屬化電容器
203-41 用作賤金屬電極多層陶瓷電容器電極的鎳粉
204-41 全鋁加厚金屬化電容器用薄膜
205-41 全鋁加厚金屬化電容器用薄膜的制備方法
206-41 鋁加厚金屬化電容器用薄膜
207-41 金屬-絕緣體-金屬電容器及其制造方法
208-41 電容器金屬膏組成物
209-41 制造金屬-絕緣體-金屬電容器的方法
210-41 金屬絕緣體金屬電容器及其制造方法
211-41 電池或電容器用鋰金屬箔
212-41 多孔閥金屬薄膜及其制造方法以及薄膜電容器
213-41 金屬化電容器用薄膜和使用該薄膜的電容器
214-41 金屬電解電容器及其制造方法
215-41 金屬-絕緣-金屬型電容器、存儲器單元及其形成方法
216-41 一種賤金屬銅電極漿料及所得電容器的制備方法
217-41 雙保險高安全的金屬化安全膜電容器
218-41 一種安全的金屬化薄膜電容器
219-41 一種利用電容傳感器測量金屬體之間的間隙的方法
220-41 金屬-絕緣體-金屬電容器及其制造方法
221-41 金屬-絕緣體-金屬電容器及其制造方法
222-41 利用以金屬或?qū)щ娢镔|(zhì)包住內(nèi)壁的陶瓷封裝的電容麥克風
223-41 用于形成金屬絕緣體金屬電容器的方法和結(jié)構(gòu)
224-41 金屬電容器及其制造方法
225-41 金屬電容器及其制造方法
226-41 金屬電容器及其制造方法
227-41 金屬電容器及其制造方法
228-41 金屬-氧化物-金屬電容結(jié)構(gòu)
229-41 改善高頻特性的電容器金屬化安全膜電極結(jié)構(gòu)
230-41 金屬化薄膜電容器
231-41 改良的金屬-絕緣體-金屬電容器
232-41 金屬電容器及其制造方法
233-41 用有機金屬化合物處理的電解電容器陽極
234-41 具有外殼包圍的放電容器的金屬鹵素燈
235-41 用于制作用于高質(zhì)量金屬-絕緣體-金屬電容器的導板的方法
236-41 一種微波多層片式陶瓷電容器的賤金屬鎳內(nèi)部電極漿料
237-41 電解電容器用金屬箔的制造方法及電解電容器
238-41 半導體器件、金屬-絕緣體-金屬電容及其制造方法
239-41 與氣隙結(jié)合的金屬-氧化物-金屬電容器
240-41 X8R型賤金屬內(nèi)電極多層陶瓷電容器介質(zhì)材料及其制備方法
241-41 一種高頻率大電流金屬化膜濾波電容器
242-41 電容結(jié)構(gòu)及其金屬層布局
243-41 一種新型金屬化聚丙烯薄膜電容器
244-41 一種金屬化聚丙烯薄膜電容器的制作工藝
245-41 一種新型金屬化聚丙烯薄膜電容器
246-41 電容式金屬內(nèi)表面上的非導電涂層厚度測量方法及裝置
247-41 掩膜包裝金屬化薄膜電容器芯子鏈形帶
248-41 金屬化薄膜電容器芯子掩膜包裝機的包裝機構(gòu)
249-41 金屬化膜卷繞電容器
250-41 扁式寬膜金屬化電容器
251-41 中、高壓金屬化有機薄膜片式電容器
252-41 中、高頻金屬化有機薄膜電容器
253-41 一種新型的金屬化薄膜電容器
254-41 一種用于制作薄膜電容器的金屬化薄膜
255-41 一種金屬化安全膜電容器
256-41 中留邊雙面金屬化薄膜電容器
257-41 一種新型的金屬化安全薄膜電容器
258-41 金屬化薄膜電容器
259-41 金屬化薄膜抗干擾電容器
260-41 一種雙面金屬化薄膜電容器芯子元件
261-41 多層叉合金屬電容結(jié)構(gòu)
262-41 圓片形高壓瓷介電容器賤金屬電極
263-41 多容量金屬化薄膜電容
264-41 無感防爆金屬化薄膜電容
265-41 金屬-電介質(zhì)-金屬電容
266-41 金屬絕緣體金屬電容結(jié)構(gòu)的半導體裝置
267-41 全鋁加強邊金屬化電容器用薄膜
268-41 新型金屬化薄膜防爆電容器
269-41 一種新型金屬化薄膜多容值電容器
270-41 抗氧化環(huán)保金屬化薄膜電容器
271-41 金屬化安全膜電容器的電極結(jié)構(gòu)
272-41 駐極式電容傳聲器的H環(huán)金屬腔體及應用該腔體的傳聲器
《金屬電容制作方法｜工藝-金屬電容器,電容,金屬類》 加工方法加工工藝加工技術(shù)加工流程加工步驟加工要求加工原理加工參數(shù)制作方法制作工藝制作流程制作要求工藝研究工藝案例工藝開發(fā)工藝改進工藝研究技術(shù)研究技術(shù)應用技術(shù)參數(shù)配方比配方比例配方參數(shù)配方要求原材料配方種植方法管理方法管理技術(shù)
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中 國 銀 行：6013820500990868543 戶名：潘玉環(huán)
(2)公司賬號匯款（24小時后到賬）：
公司名稱：本溪永昇人力資源開發(fā)有限公司;
公司賬號：7000004507227;
開戶銀行：本溪市商業(yè)銀行股份有限公司建設(shè)支 行;
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(4)、郵局地址匯款： 117000遼寧本溪市溪湖東路37號200-1-79號 收款人: 潘玉環(huán)
(5)、辦理貨到付款業(yè)務（多付10-30元費用），請與QQ：81803648 911342956聯(lián)系。
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