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009 一種多晶硅振動膜硅微電容傳聲器芯片及其制備方法
[摘要] 本技術(shù)提供了一種多晶硅振動膜硅微電容傳聲器芯片及其制備方法。該硅微電容傳聲器芯片包括多晶硅振動膜、保護層、隔離層、空氣間隙、硅基片及其上的穿孔背板，該穿孔背板包括一摻雜層且具有由多個聲學孔，該聲學孔是刻蝕一連續(xù)的摻雜層形成。在該硅微電容傳聲器芯片的制備方法中，在所述硅基片的上表面形成一連續(xù)的摻雜層，該摻雜層形成硅微電容傳聲器芯片的至少一部分穿孔背板，從該連續(xù)的摻雜層的上表面向下刻蝕出由多個聲學孔組成的聲學孔圖案。本技術(shù)采用多晶硅作為振動膜，制作工藝與平面半導體工藝完全兼容；本技術(shù)還克服了深度選擇性濃硼擴散制作背板及背板穿孔所帶來的問題和困難，為工業(yè)化生產(chǎn)傳聲器芯片提供一套簡便易行的工藝。
010 半導體傳聲器芯片
[摘要] 本技術(shù)半導體傳聲器芯片，涉及傳聲器芯片技術(shù)，是一種振膜在上、背極在下的電容式結(jié)構(gòu)。振膜通過波紋狀懸梁與周圍邊框、支撐相連，充分釋放振膜的殘余應(yīng)力；振膜上設(shè)有無數(shù)陣列狀微凹，用于支撐振膜以及減小漏聲；振膜上設(shè)有的無數(shù)小孔，在制作傳聲器芯片時配合背極聲孔釋放振膜與背極之間原有的犧牲層。本技術(shù)具有高靈敏度、低噪聲、頻帶寬的特性，芯片的體積小，制作工藝簡單，容易批量實現(xiàn)。
017 半導體傳聲器芯片
[摘要] 本技術(shù)半導體傳聲器芯片，涉及傳聲器芯片技術(shù)，是一種振膜在上、背極在下的電容式結(jié)構(gòu)。振膜通過波紋狀懸梁與周圍邊框、支撐相連，充分釋放振膜的殘余應(yīng)力；振膜上設(shè)有無數(shù)陣列狀微凹，用于支撐振膜以及減小漏聲；振膜上設(shè)有的無數(shù)小孔，在制作傳聲器芯片時配合背極聲孔釋放振膜與背極之間原有的犧牲層。本技術(shù)具有高靈敏度、低噪聲、頻帶寬的特性，芯片的體積小，制作工藝簡單，容易批量實現(xiàn)。
011 一種防粘連的硅微電容傳聲器芯片及其制備方法
[摘要] 本技術(shù)涉及一種防粘連硅微電容傳聲器芯片及其制備方法，包括硅基片，穿孔背板，振動膜，電極，其特征在于，所述穿孔背板位于硅基片的空心區(qū)域上方，所述振動膜位于穿孔背板上方，由一環(huán)形的隔離支撐層支撐，振動膜與穿孔背板之間形成空氣隙；所述穿孔背板上表面制有凸起結(jié)構(gòu)。制備方法由摻雜、制備凸起結(jié)構(gòu)、淀積犧牲層和支撐層、、制備振動膜及電極等步驟組成。本技術(shù)由于具有防粘微突出的結(jié)構(gòu)，避免了在犧牲層釋放時升華干燥工藝過程中以及工作過程中可能發(fā)生的粘連，大大提高了器件的合格率。同時本技術(shù)制備在下背板上的凸起結(jié)構(gòu)方案能夠制備得到較厚的背板，有效的避免了以往上背板結(jié)構(gòu)中制備防粘微突出方案中“軟”背板的問題。
008 一種硅微電容傳聲器芯片及其制備方法
[摘要] 本技術(shù)提供了一種硅微電容傳聲器芯片及其制備方法。該硅微電容傳聲器芯片包括硅基片及其上的穿孔背板，該穿孔背板包括一摻雜層且具有由多個聲學孔，該聲學孔是刻蝕一連續(xù)的摻雜層形成。該穿孔背板僅有摻雜層組成，或者還包括一位于摻雜層之下的硅材料層。在該硅微電容傳聲器芯片的制備方法中，在所述硅基片的上表面形成一連續(xù)的摻雜層，該摻雜層形成硅微電容傳聲器芯片的至少一部分穿孔背板，從該連續(xù)的摻雜層的上表面向下刻蝕出由多個聲學孔組成的聲學孔圖案。本技術(shù)采用在連續(xù)的摻雜層上通過刻蝕來預(yù)先制備得到聲學孔，克服了深度選擇性濃硼擴散制作背板及背板穿孔所帶來的問題和困難，為工業(yè)化生產(chǎn)傳聲器芯片提供一套簡便易行的工藝。
006 一種硅微電容傳聲器芯片及其制備方法
007 一種硅微電容傳聲器芯片及其制備方法
005 一種傳聲器芯片及其制備方法
012 電容式傳聲器芯片
013 梁式振膜及其組成的傳聲器芯片
001 單膜電容式傳聲器芯片
018 單膜電容式傳聲器芯片
019 電容式傳聲器芯片
003 內(nèi)旋轉(zhuǎn)梁振膜及其組成的傳聲器芯片
002 電容式傳聲器芯片
014 內(nèi)旋轉(zhuǎn)梁振膜及其組成的傳聲器芯片
015 一種硅微電容傳聲器芯片
004 梁式振膜及其組成的傳聲器芯片
016 一種采用成熟工藝制作的技術(shù)硅微電容傳聲器芯片
以上19項技術(shù)包括在一張光盤內(nèi)
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