參數(shù)資料
型號： CY7C106B-25VC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 256K x 4 Static RAM
中文描述： 256K X 4 STANDARD SRAM, 25 ns, PDSO28
封裝： 0.400 INCH, SOJ-28
文件頁數(shù)： 8/10頁
文件大?。?/td> 161K
代理商： CY7C106B-25VC
CY7C106B
CY7C1006B
Document #: 38-05037 Rev. **
Page 7 of 10
Write Cycle No. 1 (CE Controlled)[14, 15]
Write Cycle No. 2 (WE Controlled, OE HIGH During Write)[14, 15]
Notes:
14. If CE goes HIGH simultaneously with WE going HIGH, the output remains in a high-impedance state.
15. Data I/O is high impedance if OE = VIH.
Switching Waveforms (continued)
C106B–8
tWC
DATA VALID
tAW
tSA
tPWE
tHA
tHD
tSD
tSCE
ADDRESS
CE
DATA I/O
WE
DATA VALID
tHD
tSD
tPWE
tSA
tHA
tAW
tSCE
tWC
tHZOE
C106B–9
ADDRESS
CE
WE
DATA I/O
OE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C106B-25VI 256K x 4 Static RAM
CY7C106B-35VC TV 7C 7#20 PIN RECP
CY7C166-20PC 16K x 4 Static RAM
CY7C166-20VC 16K x 4 Static RAM
CY7C166-25PC 16K x 4 Static RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C106B-25VCT 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
CY7C106BN-15VC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:
CY7C106BN-1XW14 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:NCNR, FACT D/S ONLY, - Bulk
CY7C106D-10VXI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1M 512K IND FAST ASYNC 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C106D-10VXIT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1M 512K IND FAST ASYNC 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*