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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1355C_06 |
| 廠商： | Cypress Semiconductor Corp. |
| 英文描述： | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| 中文描述： | 9兆位（256 × 36/512K × 18）流量，通過與建筑的SRAM總線延遲⑩ |
| 文件頁數(shù)： | 10/28頁 |
| 文件大小： | 456K |
| 代理商： | CY7C1355C_06 |
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CY7C1355C
CY7C1357C
Document #: 38-05539 Rev. *E
Page 10 of 28
NOP/WRITE ABORT (Begin Burst)
WRITE ABORT (Continue Burst)
IGNORE CLOCK EDGE (Stall)
SLEEP MODE
None
Next
Current
None
L
X
X
X
H
X
X
X
L
X
X
X
L
L
L
H
L
H
X
X
L
X
X
X
H
H
X
X
X
X
X
X
L
L
H
X
L->H
L->H
L->H
X
Tri-State
Tri-State
–
Tri-State
Partial Truth Table for Read/Write
[2, 3, 9]
Function (CY7C1355C)
WE
H
L
L
L
L
L
L
BW
A
X
H
L
H
H
H
L
BW
B
X
H
H
L
H
H
L
BW
C
X
H
H
H
L
H
L
BW
D
X
H
H
H
H
L
L
Read
Write No bytes written
Write Byte A – (DQ
A
and DQP
A
)
Write Byte B – (DQ
B
and DQP
B
)
Write Byte C – (DQ
C
and DQP
C
)
Write Byte D – (DQ
D
and DQP
D
)
Write All Bytes
Truth Table for Read/Write
[2, 3,9]
Function (CY7C1357C)
WE
H
L
L
L
L
BW
A
X
H
H
H
L
BW
B
X
H
H
H
L
Read
Write - No bytes written
Write Byte A – (DQ
A
and DQP
A
)
Write Byte B – (DQ
B
and DQP
B
)
Write All Bytes
Note:
9. Table only lists a partial listing of the byte write combinations. Any combination of BW
X
is valid. Appropriate write will be done based on which byte write is active.
Truth Table
[2, 3, 4, 5, 6, 7, 8]
Operation
Address
Used
CE
1
CE
2
CE
3
ZZ
ADV/LD WE BW
X
OE CEN CLK
DQ
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1355C-100AXC | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| CY7C1355C-100AXI | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| CY7C1357C-100BGXC | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| CY7C1357C-100BGXI | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| CY7C1357C-100BZC | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1355C-100AXC | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 100MHZ 100LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:NoBL™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 |
| CY7C1355C-100AXCT | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 100MHZ 100LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:NoBL™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
| CY7C1355C-100AXI | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1355C-100BGC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 256Kx36 3.3V NoBL Sync FT 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1355C-100BGCT | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 256Kx36 3.3V NoBL Sync FT 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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