參數(shù)資料
型號: CY7C1355C_06
廠商: Cypress Semiconductor Corp.
英文描述: 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
中文描述: 9兆位(256 × 36/512K × 18)流量,通過與建筑的SRAM總線延遲⑩
文件頁數(shù): 5/28頁
文件大小: 456K
代理商: CY7C1355C_06
CY7C1355C
CY7C1357C
Document #: 38-05539 Rev. *E
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Pin Configurations
(continued)
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CEN
CY7C1357C (512K x 18)
CY7C1355C (256K x 36)
119-Ball BGA Pinout (3 Chip Enables with JTAG)
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1355C-100AXC 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1355C-100AXI 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1357C-100BGXC 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1357C-100BGXI 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1357C-100BZC 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1355C-100AXC 功能描述:IC SRAM 9MBIT 100MHZ 100LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:NoBL™ 標準包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤
CY7C1355C-100AXCT 功能描述:IC SRAM 9MBIT 100MHZ 100LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:NoBL™ 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA(8x13) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CY7C1355C-100AXI 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1355C-100BGC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 256Kx36 3.3V NoBL Sync FT 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1355C-100BGCT 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 256Kx36 3.3V NoBL Sync FT 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray