- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄379064 > CY7C1355C-100AXC (CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP) 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CY7C1355C-100AXC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| 中文描述： | 256K X 36 ZBT SRAM, 7.5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, MS-026, TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 16/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 456K |
| 代理商： | CY7C1355C-100AXC |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁當(dāng)前第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁
CY7C1355C
CY7C1357C
Document #: 38-05539 Rev. *E
Page 16 of 28
119-ball BGA Boundary Scan Order
CY7C1355C (256K x 36)
Signal
Name
Bit#
CLK
CY7C1357C (512K x 18)
Signal
Name
CLK
Bit#
1
ball ID
ball ID
R6
Signal
Name
A
Bit#
1
ball Id
Bit#
37
ball Id
R6
Signal
Name
A
K4
H4
M4
F4
B4
G4
C3
B3
D6
H7
G6
E6
D7
E7
F6
G7
H6
T7
K7
L6
N6
P7
N7
M6
L7
K6
P6
T4
A3
C5
B5
A5
C6
A6
P4
N4
37
K4
H4
M4
F4
B4
G4
C3
B3
T2
2
3
4
5
6
7
8
9
WE
CEN
OE
ADV/LD
A
A
A
DQP
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
ZZ
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQP
A
A
A
A
A
A
A
A
A0
A1
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
T5
T3
R2
R3
P2
P1
L2
K1
N2
N1
M2
L1
K2
A
A
A
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
WE
CEN
OE
ADV/LD
A
A
A
A
Internal
Internal
Internal
DQP
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
ZZ
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
Internal
Internal
Internal
Internal
Internal
A
A
A
A
A
A
A
A0
A1
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
T5
T3
R2
R3
A
A
A
MODE
DQP
D
DQ
D
DQ
D
DQ
D
DQ
D
DQ
D
DQ
D
DQ
D
DQ
D
Internal
DQ
C
DQ
C
DQ
C
DQ
C
DQ
C
DQ
C
DQ
C
DQ
C
DQP
C
A
A
CE
1
CE
2
BW
D
BW
C
BWB
BW
A
CE
3
MODE
Internal
Internal
Internal
Internal
DQP
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
Internal
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
Internal
Internal
Internal
Internal
Internal
A
A
CE
1
CE
2
Internal
BW
B
Internal
BW
A
CE
3
Internal
Internal
Internal
Internal
P2
N1
M2
L1
K2
Internal
H1
G2
E2
D1
Internal
Internal
Internal
Internal
Internal
C2
A2
E4
B2
Internal
G3
Internal
L5
B6
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
Internal
Internal
Internal
D6
E7
F6
G7
H6
T7
K7
L6
N6
P7
Internal
Internal
Internal
Internal
Internal
T6
A3
C5
B5
A5
C6
A6
P4
N4
Internal
H1
G2
E2
H2
G1
F2
E1
D2
C2
A2
E4
B2
L3
G3
G5
L5
B6
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1355C-100AXI | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| CY7C1357C-100BGXC | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| CY7C1357C-100BGXI | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| CY7C1357C-100BZC | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| CY7C1357C-100BZI | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1355C-100AXCT | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 100MHZ 100LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:NoBL™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
| CY7C1355C-100AXI | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1355C-100BGC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256Kx36 3.3V NoBL Sync FT 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1355C-100BGCT | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256Kx36 3.3V NoBL Sync FT 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1355C-133AXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256Kx36 3.3V NoBL Sync FT 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。