參數(shù)資料
型號: CY7C1355C-100AXC
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: DRAM
英文描述: 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
中文描述: 256K X 36 ZBT SRAM, 7.5 ns, PQFP100
封裝: 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, MS-026, TQFP-100
文件頁數(shù): 17/28頁
文件大?。?/td> 456K
代理商: CY7C1355C-100AXC
CY7C1355C
CY7C1357C
Document #: 38-05539 Rev. *E
Page 17 of 28
165-ball FBGA Boundary Scan Order
CY7C1355C (256K x 36)
Signal
Name
CLK
CY7C1357C (512K x 18)
Signal
Name
CLK
Bit#
1
ball ID
B6
Bit#
37
ball ID
R4
Signal
Name
A
Bit#
1
ball ID
B6
Bit#
37
ball ID
R4
Signal
Name
A
2
3
4
5
6
7
8
9
B7
A7
B8
A8
A9
B10
A10
C11
E10
F10
G10
D10
D11
E11
F11
G11
H11
J10
K10
L10
M10
J11
K11
L11
M11
N11
R11
R10
P10
R9
P9
R8
P8
R6
P6
WE
CEN
OE
ADV/LD
A
A
A
DQP
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
ZZ
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQP
A
A
A
A
A
A
A
A
A0
A1
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
P4
R3
P3
R1
N1
L2
K2
J2
M2
M1
L1
K1
J1
A
A
A
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
B7
A7
B8
A8
A9
B10
A10
A11
Internal
Internal
Internal
C11
D11
E11
F11
G11
H11
J10
K10
L10
M10
Internal
Internal
Internal
Internal
Internal
R11
R10
P10
R9
P9
R8
P8
R6
P6
WE
CEN
OE
ADV/LD
A
A
A
A
Internal
Internal
Internal
DQP
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
ZZ
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
Internal
Internal
Internal
Internal
Internal
A
A
A
A
A
A
A
A0
A1
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
P4
R3
P3
R1
A
A
A
MODE
DQP
D
DQ
D
DQ
D
DQ
D
DQ
D
DQ
D
DQ
D
DQ
D
DQ
D
Internal
DQ
C
DQ
C
DQ
C
DQ
C
DQ
C
DQ
C
DQ
C
DQ
C
DQP
C
A
A
CE
1
CE
2
BW
D
BW
C
BW
B
BW
A
CE
3
MODE
Internal
Internal
Internal
Internal
DQP
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
Internal
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
Internal
Internal
Internal
Internal
Internal
A
A
CE
1
CE
2
Internal
Internal
BW
B
BW
A
CE
3
Internal
Internal
Internal
Internal
N1
M1
L1
K1
J1
Internal
G2
F2
E2
D2
Internal
Internal
Internal
Internal
Internal
B2
A2
A3
B3
Internal
Internal
A4
B5
A6
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
Internal
G2
F2
E2
D2
G1
F1
E1
D1
C1
B2
A2
A3
B3
B4
A4
A5
B5
A6
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1355C-100AXI 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1357C-100BGXC 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1357C-100BGXI 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1357C-100BZC 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1357C-100BZI 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1355C-100AXCT 功能描述:IC SRAM 9MBIT 100MHZ 100LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:NoBL™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA(8x13) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CY7C1355C-100AXI 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1355C-100BGC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256Kx36 3.3V NoBL Sync FT 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1355C-100BGCT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256Kx36 3.3V NoBL Sync FT 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1355C-133AXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256Kx36 3.3V NoBL Sync FT 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray