參數(shù)資料
型號: CY7C1355C-100BGXC
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: DRAM
英文描述: 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
中文描述: 256K X 36 ZBT SRAM, 7.5 ns, PBGA119
封裝: 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, BGA-119
文件頁數(shù): 26/28頁
文件大?。?/td> 456K
代理商: CY7C1355C-100BGXC
CY7C1355C
CY7C1357C
Document #: 38-05539 Rev. *E
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Package Diagrams
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0.15(4X)
0.05 M C
0.75±0.15(119X)
0.25 M C A B
SEATING PLANE
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51-85115-*B
119-Ball BGA (14 x 22 x 2.4 mm) (51-85115)
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1355C 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1355C_06 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1355C-100AXC 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1355C-100AXI 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1357C-100BGXC 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1355C-133AXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 256Kx36 3.3V NoBL Sync FT 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1355C-133AXCKJ 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1355C-133AXCT 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 256Kx36 3.3V NoBL Sync FT 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1355C-133AXI 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1355C-133AXIT 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: