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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CY7C1355C-133BGXC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| 中文描述： | 256K X 36 ZBT SRAM, 6.5 ns, PBGA119 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, BGA-119 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/28頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 456K |
| 代理商： | CY7C1355C-133BGXC |
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CY7C1355C
CY7C1357C
Document #: 38-05539 Rev. *E
Page 10 of 28
NOP/WRITE ABORT (Begin Burst)
WRITE ABORT (Continue Burst)
IGNORE CLOCK EDGE (Stall)
SLEEP MODE
None
Next
Current
None
L
X
X
X
H
X
X
X
L
X
X
X
L
L
L
H
L
H
X
X
L
X
X
X
H
H
X
X
X
X
X
X
L
L
H
X
L->H
L->H
L->H
X
Tri-State
Tri-State
–
Tri-State
Partial Truth Table for Read/Write
[2, 3, 9]
Function (CY7C1355C)
WE
H
L
L
L
L
L
L
BW
A
X
H
L
H
H
H
L
BW
B
X
H
H
L
H
H
L
BW
C
X
H
H
H
L
H
L
BW
D
X
H
H
H
H
L
L
Read
Write No bytes written
Write Byte A – (DQ
A
and DQP
A
)
Write Byte B – (DQ
B
and DQP
B
)
Write Byte C – (DQ
C
and DQP
C
)
Write Byte D – (DQ
D
and DQP
D
)
Write All Bytes
Truth Table for Read/Write
[2, 3,9]
Function (CY7C1357C)
WE
H
L
L
L
L
BW
A
X
H
H
H
L
BW
B
X
H
H
H
L
Read
Write - No bytes written
Write Byte A – (DQ
A
and DQP
A
)
Write Byte B – (DQ
B
and DQP
B
)
Write All Bytes
Note:
9. Table only lists a partial listing of the byte write combinations. Any combination of BW
X
is valid. Appropriate write will be done based on which byte write is active.
Truth Table
[2, 3, 4, 5, 6, 7, 8]
Operation
Address
Used
CE
1
CE
2
CE
3
ZZ
ADV/LD WE BW
X
OE CEN CLK
DQ
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1355C-133BGXI | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| CY7C1355C-133BZXC | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| CY7C1355C-133BZXI | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| CY7C1357C-100AXC | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| CY7C1357C-100AXI | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1355S-133AXC | 功能描述:IC SRAM 256KX36 3.3V SYN 100TQFP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) |
| CY7C1355S-133AXCT | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1355S-133BGC | 功能描述:IC SRAM 256KX36 NOBL 119-BGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) |
| CY7C1356-166AXI | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1356A-100AC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Sync Single 3.3V 9M-Bit 512K x 18 5ns 100-Pin TQFP 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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