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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CY7C1355C-133BGXC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| 中文描述： | 256K X 36 ZBT SRAM, 6.5 ns, PBGA119 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, BGA-119 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 23/28頁(yè) |
| 文件大小： | 456K |
| 代理商： | CY7C1355C-133BGXC |
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CY7C1355C
CY7C1357C
Document #: 38-05539 Rev. *E
Page 23 of 28
ZZ Mode Timing
[26, 27]
Notes:
26.Device must be deselected when entering ZZ mode. See truth table for all possible signal conditions to deselect the device.
27.DQs are in high-Z when exiting ZZ sleep mode.
Switching Waveforms
(continued)
tZZ
I
SUPPLY
CLK
ZZ
tZZREC
ALL INPUTS
(except ZZ)
DON’T CARE
IDDZZ
tZZI
tRZZI
Outputs (Q)
High-Z
DESELECT or READ Only
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1355C-133BGXI | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| CY7C1355C-133BZXC | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| CY7C1355C-133BZXI | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| CY7C1357C-100AXC | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| CY7C1355S-133AXCT | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1355S-133BGC | 功能描述:IC SRAM 256KX36 NOBL 119-BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) |
| CY7C1356-166AXI | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
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