參數(shù)資料
型號: CY7C1355C-133BGXC
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: DRAM
英文描述: 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
中文描述: 256K X 36 ZBT SRAM, 6.5 ns, PBGA119
封裝: 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, BGA-119
文件頁數(shù): 3/28頁
文件大小: 456K
代理商: CY7C1355C-133BGXC
CY7C1355C
CY7C1357C
Document #: 38-05539 Rev. *E
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Pin Configurations
100-Pin TQFP Pinout
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CY7C1355C
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BYTE C
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1355C-133BGXI 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1355C-133BZXC 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1355C-133BZXI 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1357C-100AXC 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1357C-100AXI 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1355S-133AXC 功能描述:IC SRAM 256KX36 3.3V SYN 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR)
CY7C1355S-133AXCT 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1355S-133BGC 功能描述:IC SRAM 256KX36 NOBL 119-BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR)
CY7C1356-166AXI 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1356A-100AC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Sync Single 3.3V 9M-Bit 512K x 18 5ns 100-Pin TQFP 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk