參數資料
型號： CY7C1355C-133BZXI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
中文描述： 256K X 36 ZBT SRAM, 6.5 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165
文件頁數： 22/28頁
文件大?。?/td> 456K
代理商： CY7C1355C-133BZXI
CY7C1355C
CY7C1357C
Document #: 38-05539 Rev. *E
Page 22 of 28
NOP, STALL and DESELECT Cycles
[22, 23, 25]
1
Note:
25.The IGNORE CLOCK EDGE or STALL cycle (Clock 3) illustrates CEN being used to create a pause. A write is not performed during this cycle.
Switching Waveforms
(continued)
WRITE
D(A1)
2
3
4
5
6
7
8
9
CLK
tCYC
tCL
tCH
10
CE
tCEH
tCES
WE
CEN
tCENH
tCENS
BW
X
ADV/LD
tAH
tAS
ADDRESS
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
tDH
tDS
DQ
COMMAND
tCLZ
D(A1)
D(A2)
Q(A4)
Q(A3)
D(A2+1)
tDOH
tCHZ
tCDV
WRITE
D(A2)
BURST
WRITE
D(A2+1)
READ
Q(A3)
READ
Q(A4)
BURST
READ
Q(A4+1)
WRITE
D(A5)
READ
Q(A6)
WRITE
D(A7)
DESELECT
OE
tOEV
tOELZ
tOEHZ
DON’T CARE
UNDEFINED
D(A5)
tDOH
Q(A4+1)
D(A7)
Q(A6)
[+] Feedback
相關PDF資料
PDF描述
CY7C1357C-100AXC 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1357C-100AXI 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1357C-100BGC 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1357C-100BGI 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1356C-200BZC 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture
相關代理商/技術參數
參數描述
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CY7C1356A-100AC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Sync Single 3.3V 9M-Bit 512K x 18 5ns 100-Pin TQFP 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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