參數(shù)資料
型號： CY7C1355C-133BZXI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
中文描述： 256K X 36 ZBT SRAM, 6.5 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165
文件頁數(shù)： 5/28頁
文件大?。?/td> 456K
代理商： CY7C1355C-133BZXI
CY7C1355C
CY7C1357C
Document #: 38-05539 Rev. *E
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Pin Configurations
(continued)
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TMS
NC/36M
NC/72M
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ADV/LD
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NC/288M
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CEN
CY7C1357C (512K x 18)
CY7C1355C (256K x 36)
119-Ball BGA Pinout (3 Chip Enables with JTAG)
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1357C-100AXC 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1357C-100AXI 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1357C-100BGC 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1357C-100BGI 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1356C-200BZC 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1355S-133AXC 功能描述:IC SRAM 256KX36 3.3V SYN 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR)
CY7C1355S-133AXCT 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1355S-133BGC 功能描述:IC SRAM 256KX36 NOBL 119-BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR)
CY7C1356-166AXI 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1356A-100AC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Sync Single 3.3V 9M-Bit 512K x 18 5ns 100-Pin TQFP 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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