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參數資料
| 型號： | CY7C1357C-100BGI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| 中文描述： | 512K X 18 ZBT SRAM, 7.5 ns, PBGA119 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, BGA-119 |
| 文件頁數： | 16/28頁 |
| 文件大小： | 456K |
| 代理商： | CY7C1357C-100BGI |
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CY7C1355C
CY7C1357C
Document #: 38-05539 Rev. *E
Page 16 of 28
119-ball BGA Boundary Scan Order
CY7C1355C (256K x 36)
Signal
Name
Bit#
CLK
CY7C1357C (512K x 18)
Signal
Name
CLK
Bit#
1
ball ID
ball ID
R6
Signal
Name
A
Bit#
1
ball Id
Bit#
37
ball Id
R6
Signal
Name
A
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A
A
A
A
A
A
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A
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DQ
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DQP
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CE
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MODE
Internal
Internal
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Internal
Internal
Internal
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Internal
Internal
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Internal
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Internal
Internal
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Internal
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G5
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B6
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1356C-200BZC | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| CY7C1354C-200BZI | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| CY7C1354C-200BZXC | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| CY7C1354C-200BZXI | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| CY7C1354C-250AXC | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| CY7C1357C-100BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512Kx18 3.3V NoBL Sync FT 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1357C133AXC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Sync Dual 3.3V 9M-Bit 512K x 18 6.5ns 100-Pin TQFP Tray |
| CY7C1357C-133AXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512Kx18 3.3V NoBL Sync FT 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1357C-133AXCKJ | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1357C-133AXCT | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512Kx18 3.3V NoBL Sync FT 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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