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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1357C-100BGXC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| 中文描述： | 512K X 18 ZBT SRAM, 7.5 ns, PBGA119 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, BGA-119 |
| 文件頁數(shù)： | 13/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 456K |
| 代理商： | CY7C1357C-100BGXC |
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CY7C1355C
CY7C1357C
Document #: 38-05539 Rev. *E
Page 13 of 28
TAP Timing
TAP AC Switching Characteristics
Over the Operating Range
[10, 11]
Parameter
Clock
t
TCYC
t
TF
t
TH
t
TL
Output Times
t
TDOV
t
TDOX
Set-up Times
t
TMSS
t
TDIS
t
CS
Hold Times
t
TMSH
t
TDIH
t
CH
Description
Min.
Max.
Unit
TCK Clock Cycle Time
TCK Clock Frequency
TCK Clock HIGH Time
TCK Clock LOW Time
50
ns
MHz
ns
ns
20
20
20
TCK Clock LOW to TDO Valid
TCK Clock LOW to TDO Invalid
10
ns
ns
0
TMS Set-Up to TCK Clock Rise
TDI Set-Up to TCK Clock Rise
Capture Set-Up to TCK Rise
5
5
5
ns
ns
ns
TMS Hold after TCK Clock Rise
TDI Hold after Clock Rise
Capture Hold after Clock Rise
5
5
5
ns
ns
ns
Notes:
10.t
and t
refer to the set-up and hold time requirements of latching data from the boundary scan register.
11. Test conditions are specified using the load in TAP AC Test Conditions. t
R
/t
F
= 1 ns.
tTL
Test Clock
(TCK)
1
2
3
4
5
6
Test Mode Select
(TMS)
tTH
Test Data-Out
(TDO)
tCYC
Test Data-In
(TDI)
tTMSH
tTMSS
tTDIH
tTDIS
tTDOX
tTDOV
DON’T CARE
UNDEFINED
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1357C-100BGXI | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| CY7C1357C-100BZC | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| CY7C1357C-100BZI | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| CY7C1357C-100BZXC | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| CY7C1357C-100BZXI | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1357C-100BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 512Kx18 3.3V NoBL Sync FT 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1357C133AXC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Sync Dual 3.3V 9M-Bit 512K x 18 6.5ns 100-Pin TQFP Tray |
| CY7C1357C-133AXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 512Kx18 3.3V NoBL Sync FT 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1357C-133AXCKJ | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1357C-133AXCT | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 512Kx18 3.3V NoBL Sync FT 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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