型號: | CY7C1357C-100BGXI |
廠商: | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | DRAM |
英文描述: | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture |
中文描述: | 512K X 18 ZBT SRAM, 7.5 ns, PBGA119 |
封裝: | 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, BGA-119 |
文件頁數(shù): | 23/28頁 |
文件大?。?/td> | 456K |
代理商: | CY7C1357C-100BGXI |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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CY7C1357C-100BZC | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture |
CY7C1357C-100BZI | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture |
CY7C1357C-100BZXC | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture |
CY7C1357C-100BZXI | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture |
CY7C1357C-133AXC | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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CY7C1357C-100BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512Kx18 3.3V NoBL Sync FT 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
CY7C1357C133AXC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Sync Dual 3.3V 9M-Bit 512K x 18 6.5ns 100-Pin TQFP Tray |
CY7C1357C-133AXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512Kx18 3.3V NoBL Sync FT 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
CY7C1357C-133AXCKJ | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
CY7C1357C-133AXCT | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512Kx18 3.3V NoBL Sync FT 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |