參數(shù)資料
型號(hào): CY7C1357C-133BGC
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi): DRAM
英文描述: 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
中文描述: 512K X 18 ZBT SRAM, 6.5 ns, PBGA119
封裝: 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, BGA-119
文件頁(yè)數(shù): 5/28頁(yè)
文件大?。?/td> 456K
代理商: CY7C1357C-133BGC
CY7C1355C
CY7C1357C
Document #: 38-05539 Rev. *E
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Pin Configurations
(continued)
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NC/144M
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CEN
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TDO
TCK
TDI
TMS
NC/36M
NC/72M
NC/288M
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DQ
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ADV/LD
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NC/288M
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NC/36M
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CEN
CY7C1357C (512K x 18)
CY7C1355C (256K x 36)
119-Ball BGA Pinout (3 Chip Enables with JTAG)
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1357C-133BGI 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1357C-133BGXC 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1357C-133BGXI 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1357C-133BZC 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1357C-133BZI 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1357S-100AXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 CY7C1357S-100AXC RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1357S-100AXCT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 CY7C1357S-100AXCT RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1359A-100AC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:256K X 18 CACHE TAG SRAM, 4 ns, PQFP100
CY7C1359A-100ACT 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:Electronic Component
CY7C1359A-150AC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Sync Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 3.8ns 100-Pin TQFP 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk