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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CY7C1357C-133BGI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| 中文描述： | 512K X 18 ZBT SRAM, 6.5 ns, PBGA119 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, BGA-119 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 23/28頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 456K |
| 代理商： | CY7C1357C-133BGI |
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CY7C1355C
CY7C1357C
Document #: 38-05539 Rev. *E
Page 23 of 28
ZZ Mode Timing
[26, 27]
Notes:
26.Device must be deselected when entering ZZ mode. See truth table for all possible signal conditions to deselect the device.
27.DQs are in high-Z when exiting ZZ sleep mode.
Switching Waveforms
(continued)
tZZ
I
SUPPLY
CLK
ZZ
tZZREC
ALL INPUTS
(except ZZ)
DON’T CARE
IDDZZ
tZZI
tRZZI
Outputs (Q)
High-Z
DESELECT or READ Only
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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