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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1357C-133BGXI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| 中文描述： | 512K X 18 ZBT SRAM, 6.5 ns, PBGA119 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, BGA-119 |
| 文件頁數(shù)： | 21/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 456K |
| 代理商： | CY7C1357C-133BGXI |
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CY7C1355C
CY7C1357C
Document #: 38-05539 Rev. *E
Page 21 of 28
Switching Waveforms
Read/Write Waveforms
[22, 23, 24]
Notes:
22.For this waveform ZZ is tied LOW.
23.When CE is LOW, CE
is LOW, CE
is HIGH and CE
is LOW. When CE is HIGH, CE
is HIGH or CE
is LOW or CE
is HIGH.
24.Order of the Burst sequence is determined by the status of the MODE (0 = Linear, 1 = Interleaved). Burst operations are optional.
WRITE
D(A1)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
CLK
tCYC
tCL
tCH
10
CE
tCEH
tCES
WE
CEN
tCENH
tCENS
BW
X
ADV/LD
tAH
tAS
ADDRESS
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
tDH
tDS
DQ
COMMAND
tCLZ
D(A1)
D(A2)
Q(A4)
Q(A3)
D(A2+1)
tDOH
tCHZ
tCDV
WRITE
D(A2)
BURST
WRITE
D(A2+1)
READ
Q(A3)
READ
Q(A4)
BURST
READ
Q(A4+1)
WRITE
D(A5)
READ
Q(A6)
WRITE
D(A7)
DESELECT
OE
tOEV
tOELZ
tOEHZ
DON’T CARE
UNDEFINED
D(A5)
tDOH
Q(A4+1)
D(A7)
Q(A6)
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1357C-133BZC | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| CY7C1357C-133BZI | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| CY7C1357C-133BZXC | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| CY7C1357C-133BZXI | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| CY7C1355C-100BGXI | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1357S-100AXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 CY7C1357S-100AXC RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1357S-100AXCT | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 CY7C1357S-100AXCT RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1359A-100AC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:256K X 18 CACHE TAG SRAM, 4 ns, PQFP100 |
| CY7C1359A-100ACT | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:Electronic Component |
| CY7C1359A-150AC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Sync Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 3.8ns 100-Pin TQFP 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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