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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CY7C1357C-133BZC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| 中文描述： | 512K X 18 ZBT SRAM, 6.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 19/28頁(yè) |
| 文件大小： | 456K |
| 代理商： | CY7C1357C-133BZC |
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CY7C1355C
CY7C1357C
Document #: 38-05539 Rev. *E
Page 19 of 28
Capacitance
[15]
Parameter
C
IN
C
CLK
C
I/O
Description
Test Conditions
T
A
= 25°C, f = 1 MHz,
V
DD
= 3.3V.
V
DDQ
= 2.5V
100 TQFP
Max.
5
5
5
119 BGA
Max.
5
5
7
165 FBGA
Max.
5
5
7
Unit
pF
pF
pF
Input Capacitance
Clock Input Capacitance
Input/Output Capacitance
Thermal Resistance
[15]
Parameter
Θ
JA
Description
Test Conditions
Test conditions follow standard
test methods and procedures
for measuring thermal
impedance, per EIA/JESD51.
100 TQFP
Package
29.41
119 BGA
Package
34.1
165 FBGA
Package
16.8
Unit
°
C/W
Thermal Resistance
(Junction to Ambient)
Thermal Resistance
(Junction to Case)
Θ
JC
6.31
14.0
3.0
°
C/W
AC Test Loads and Waveforms
Note:
15.Tested initially and after any design or process change that may affect these parameters
OUTPUT
R = 317
R = 351
5 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
(a)
(b)
OUTPUT
R
L
= 50
Z
0
= 50
V
T
= 1.5V
3.3V
ALL INPUT PULSES
V
DDQ
GND
90%
10%
90%
10%
≤
1 ns
≤
1 ns
(c)
OUTPUT
R = 1667
R = 1538
5 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
(a)
(b)
OUTPUT
R
L
= 50
Z
0
= 50
V
T
= 1.25V
2.5V
ALL INPUT PULSES
V
DDQ
GND
90%
10%
90%
10%
≤
1 ns
≤
1 ns
(c)
3.3V I/O Test Load
2.5V I/O Test Load
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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