參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1357C-133BZXC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
中文描述： 512K X 18 ZBT SRAM, 6.5 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 17/28頁(yè)
文件大小： 456K
代理商： CY7C1357C-133BZXC
CY7C1355C
CY7C1357C
Document #: 38-05539 Rev. *E
Page 17 of 28
165-ball FBGA Boundary Scan Order
CY7C1355C (256K x 36)
Signal
Name
CLK
CY7C1357C (512K x 18)
Signal
Name
CLK
Bit#
1
ball ID
B6
Bit#
37
ball ID
R4
Signal
Name
A
Bit#
1
ball ID
B6
Bit#
37
ball ID
R4
Signal
Name
A
2
3
4
5
6
7
8
9
B7
A7
B8
A8
A9
B10
A10
C11
E10
F10
G10
D10
D11
E11
F11
G11
H11
J10
K10
L10
M10
J11
K11
L11
M11
N11
R11
R10
P10
R9
P9
R8
P8
R6
P6
WE
CEN
OE
ADV/LD
A
A
A
DQP
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
ZZ
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQP
A
A
A
A
A
A
A
A
A0
A1
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P4
R3
P3
R1
N1
L2
K2
J2
M2
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L1
K1
J1
A
A
A
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B7
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B10
A10
A11
Internal
Internal
Internal
C11
D11
E11
F11
G11
H11
J10
K10
L10
M10
Internal
Internal
Internal
Internal
Internal
R11
R10
P10
R9
P9
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P8
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P6
WE
CEN
OE
ADV/LD
A
A
A
A
Internal
Internal
Internal
DQP
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
ZZ
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
Internal
Internal
Internal
Internal
Internal
A
A
A
A
A
A
A
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A1
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P4
R3
P3
R1
A
A
A
MODE
DQP
D
DQ
D
DQ
D
DQ
D
DQ
D
DQ
D
DQ
D
DQ
D
DQ
D
Internal
DQ
C
DQ
C
DQ
C
DQ
C
DQ
C
DQ
C
DQ
C
DQ
C
DQP
C
A
A
CE
1
CE
2
BW
D
BW
C
BW
B
BW
A
CE
3
MODE
Internal
Internal
Internal
Internal
DQP
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
Internal
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
Internal
Internal
Internal
Internal
Internal
A
A
CE
1
CE
2
Internal
Internal
BW
B
BW
A
CE
3
Internal
Internal
Internal
Internal
N1
M1
L1
K1
J1
Internal
G2
F2
E2
D2
Internal
Internal
Internal
Internal
Internal
B2
A2
A3
B3
Internal
Internal
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B5
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Internal
G2
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D1
C1
B2
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B4
A4
A5
B5
A6
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1357C-133BZXI 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1355C-100BGXI 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1355C-100BZXC 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1355C-100BZXI 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1355C-133AXC 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1357S-100AXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 CY7C1357S-100AXC RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1357S-100AXCT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 CY7C1357S-100AXCT RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1359A-100AC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:256K X 18 CACHE TAG SRAM, 4 ns, PQFP100
CY7C1359A-100ACT 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:Electronic Component
CY7C1359A-150AC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Sync Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 3.8ns 100-Pin TQFP 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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