型號: | CY7C1370D-167BGI |
廠商: | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | DRAM |
英文描述: | 18-Mbit (512K X 36/1M X 18) Pipelined SRAM with NoBL Architecture |
中文描述: | 512K X 36 ZBT SRAM, 3.4 ns, PBGA119 |
封裝: | (14 X 22 X 2.4) MM, PLASTIC, BGA-119 |
文件頁數(shù): | 30/30頁 |
文件大?。?/td> | 344K |
代理商: | CY7C1370D-167BGI |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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CY7C1370D-167BZC | 18-Mbit (512K X 36/1M X 18) Pipelined SRAM with NoBL Architecture |
CY7C1370D-167BZI | 18-Mbit (512K X 36/1M X 18) Pipelined SRAM with NoBL Architecture |
CY7C1370D-200AXC | 18-Mbit (512K X 36/1M X 18) Pipelined SRAM with NoBL Architecture |
CY7C1370D-200AXI | 18-Mbit (512K X 36/1M X 18) Pipelined SRAM with NoBL Architecture |
CY7C1370D-200BGC | 18-Mbit (512K X 36/1M X 18) Pipelined SRAM with NoBL Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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CY7C1370D-167BZC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
CY7C1370D-167BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512Kx36 3.3V NoBL Sync PL 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
CY7C1370D-200AXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512Kx36 3.3V NoBL Sync PL 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
CY7C1370D-200AXCT | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512Kx36 3.3V NoBL Sync PL 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
CY7C1370D-200AXI | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512Kx36 3.3V NoBL Sync PL 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |