參數(shù)資料
型號： CY7C1370D-225BGI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 18-Mbit (512K X 36/1M X 18) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
中文描述： 512K X 36 ZBT SRAM, 2.8 ns, PBGA119
封裝： 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119
文件頁數(shù)： 23/30頁
文件大?。?/td> 344K
代理商： CY7C1370D-225BGI
PRELIMINARY
CY7C1370D
CY7C1372D
Document #: 38-05555 Rev. *A
Page 23 of 30
Switching Waveforms
Read/Write/Timing
[25, 26, 27]
Notes:
25.For this waveform ZZ is tied LOW.
26.When CE is LOW, CE
is LOW, CE
is HIGH and CE
is LOW. When CE is HIGH,CE
is HIGH or CE
is LOW or CE
is HIGH.
27.Order of the Burst sequence is determined by the status of the MODE (0 = Linear, 1 = Interleaved).Burst operations are optional.
WRITE
D(A1)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
CLK
tCYC
t
CL
t
CH
10
CE
t
CEH
t
CES
WE
CEN
t
CENH
t
CENS
BW
x
ADV/LD
t
AH
t
AS
ADDRESS
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
t
DH
t
DS
Data
In-Out (DQ)
t
CLZ
D(A1)
D(A2)
D(A5)
Q(A4)
Q(A3)
D(A2+1)
t
DOH
t
CHZ
t
CO
WRITE
D(A2)
BURST
WRITE
D(A2+1)
READ
Q(A3)
READ
Q(A4)
BURST
READ
Q(A4+1)
WRITE
D(A5)
READ
Q(A6)
WRITE
D(A7)
DESELECT
OE
t
OEV
t
OELZ
t
OEHZ
t
DOH
DON’T CARE
UNDEFINED
Q(A6)
Q(A4+1)
相關PDF資料
PDF描述
CY7C1370D-225BZI 18-Mbit (512K X 36/1M X 18) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
CY7C1370D-250AXC 18-Mbit (512K X 36/1M X 18) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
CY7C1381DV25-133BZI 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
CY7C1383FV25-100BGC 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
CY7C1383FV25-100BGI 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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CY7C1370D-250AXI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18Mbit Pipeline 靜態(tài)隨機存取存儲器 w/ NoBL RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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CY7C1370DV25-167 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
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