參數(shù)資料
型號(hào): CY7C1381DV25-100BZXI
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: DRAM
英文描述: 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
中文描述: 512K X 36 CACHE SRAM, 8.5 ns, PBGA165
封裝: 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù): 26/28頁(yè)
文件大小: 952K
代理商: CY7C1381DV25-100BZXI
CY7C1381DV25, CY7C1381FV25
CY7C1383DV25, CY7C1383FV25
Document #: 38-05547 Rev. *E
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Figure 2. 119-Ball BGA (14 x 22 x 2.4 mm) (51-85115)
Package Diagrams
(continued)
51-85115-*B
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PDF描述
CY7C1381DV25-133AXC 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
CY7C1381DV25-133AXI 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
CY7C1381DV25-133BZC 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
CY7C1381DV25-133BZXC 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
CY7C1381DV25-133BZXI 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1381DV25-133AXC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1381F-133BGC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512Kx36 3.3V Sync FT 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1381F-133BGCT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512Kx36 3.3V Sync FT 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1381S-133AXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 CY7C1381S-133AXC RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1381XC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: