參數(shù)資料
型號: CY7C1381FV25-100BGI
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: DRAM
英文描述: 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
中文描述: 512K X 36 CACHE SRAM, 8.5 ns, PBGA119
封裝: 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, BGA-119
文件頁數(shù): 10/28頁
文件大?。?/td> 952K
代理商: CY7C1381FV25-100BGI
CY7C1381DV25, CY7C1381FV25
CY7C1383DV25, CY7C1383FV25
Document #: 38-05547 Rev. *E
Page 10 of 28
Truth Table for Read/Write
[4, 9]
Function (CY7C1381DV25/CY7C1381FV25)
GW
BWE
BW
D
X
BW
C
X
BW
B
X
BW
A
X
Read
H
H
Read
H
L
H
H
H
H
Write Byte A (DQ
A
, DQP
A
)
Write Byte B (DQ
B
, DQP
B
)
Write Bytes A, B (DQ
A
, DQ
B
, DQP
A
, DQP
B
)
Write Byte C (DQ
C
, DQP
C
)
Write Bytes C, A (DQ
C
, DQ
A,
DQP
C
, DQP
A
)
Write Bytes C, B (DQ
C
, DQ
B,
DQP
C
, DQP
B
)
Write Bytes C, B, A (DQ
C
, DQ
B
, DQ
A,
DQP
C
,
DQP
B
, DQP
A
)
Write Byte D (DQ
D
, DQP
D
)
Write Bytes D, A (DQ
D
, DQ
A,
DQP
D
, DQP
A
)
Write Bytes D, B (DQ
D
, DQ
A,
DQP
D
, DQP
A
)
Write Bytes D, B, A (DQ
D
, DQ
B
, DQ
A,
DQP
D
,
DQP
B
, DQP
A
)
Write Bytes D, B (DQ
D
, DQ
B,
DQP
D
, DQP
B
)
Write Bytes D, B, A (DQ
D
, DQ
C
, DQ
A,
DQP
D
,
DQP
C
, DQP
A
)
Write Bytes D, C, A (DQ
D
, DQ
B
, DQ
A,
DQP
D
,
DQP
B
, DQP
A
)
Write All Bytes
H
L
H
H
H
L
H
L
H
H
L
H
H
L
H
H
L
L
H
L
H
L
H
H
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
L
H
H
L
H
L
L
L
H
L
L
H
H
H
H
L
L
H
H
L
H
L
L
H
L
H
H
L
L
H
L
L
H
L
L
L
H
H
H
L
L
L
H
L
H
L
L
L
L
H
H
L
L
L
L
L
Write All Bytes
L
X
X
X
X
X
Truth Table for Read/Write
[4, 9]
Function (CY7C1383DV25/CY7C1383FV25)
GW
BWE
BW
B
BW
A
Read
H
H
X
X
Read
H
L
H
H
Write Byte A – (DQ
A
and DQP
A
)
Write Byte B – (DQ
B
and DQP
B
)
Write All Bytes
H
L
H
L
H
L
L
H
H
L
L
L
Write All Bytes
L
X
X
X
Note
9. Table only lists a partial listing of the byte write combinations. Any combination of BW
X
is valid. Appropriate write will be done based on which byte write is active.
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1381FV25-100BGXC Replacement for Intersil part number 131684. Buy from authorized manufacturer Rochester Electronics.
CY7C1381FV25-100BGXI 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
CY7C1381FV25-133BGC 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
CY7C1381FV25-133BGI 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
CY7C1381FV25-133BGXC 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1381S-133AXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 CY7C1381S-133AXC RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1381XC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1382 WAF 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C138-25JC 功能描述:IC SRAM 32KBIT 25NS 68PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤
CY7C138-25JXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 5V 4Kx8 COM CMOS Dual Port 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray