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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1381FV25-133BGC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM |
| 中文描述： | 512K X 36 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA119 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, BGA-119 |
| 文件頁數(shù)： | 14/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 952K |
| 代理商： | CY7C1381FV25-133BGC |
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CY7C1381DV25, CY7C1381FV25
CY7C1383DV25, CY7C1383FV25
Document #: 38-05547 Rev. *E
Page 14 of 28
2.5V TAP AC Test Conditions
Input pulse levels.................................................V
SS
to 2.5V
Input rise and fall time..................................................... 1 ns
Input timing reference levels.........................................1.25V
Output reference levels.................................................1.25V
Test load termination supply voltage.............................1.25V
2.5V TAP AC Output Load Equivalent
TDO
1.25V
20pF
Z = 50
50
TAP DC Electrical Characteristics And Operating Conditions
(0°C < TA < +70°C; V
DD
= 2.5V ±0.125V unless otherwise noted)
[12]
Parameter
V
OH1
V
OH2
V
OL1
V
OL2
V
IH
V
IL
I
X
Description
Output HIGH Voltage
Output HIGH Voltage
Output LOW Voltage
Output LOW Voltage
Input HIGH Voltage
Input LOW Voltage
Input Load Current
Test Conditions
Min.
2.0
2.1
Max.
Unit
V
V
V
V
V
V
μA
I
OH
= –1.0 mA, V
DDQ
= 2.5V
I
OH
= –100 μA, V
DDQ
= 2.5V
I
OL
= 8.0 mA, V
DDQ
= 2.5V
I
OL
= 100 μA
0.4
0.2
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 2.5V
1.7
–0.3
–5
V
DD
+ 0.3
0.7
5
GND < V
IN
< V
DDQ
Identification Register Definitions
Instruction Field
CY7C1381DV25/
CY7C1381FV25
(512K x 36)
000
01011
101001
000001
100101
00000110100
1
CY7C1383DV25/
CY7C1383FV25
(1 Mbit x 18)
000
01011
101001
000001
010101
00000110100
1
Description
Revision Number (31:29)
Device Depth (28:24)
Device Width (23:18) 119-BGA
Device Width (23:18) 165-FBGA
Cypress Device ID (17:12)
Cypress JEDEC ID Code (11:1)
ID Register Presence Indicator (0)
Describes the version number
Reserved for internal use.
Defines the memory type and architecture
Defines the memory type and architecture
Defines the width and density
Allows unique identification of SRAM vendor
Indicates the presence of an ID register
Scan Register Sizes
Register Name
Bit Size (x36)
3
1
32
85
89
Bit Size (x18)
3
1
32
85
89
Instruction Bypass
Bypass
ID
Boundary Scan Order (119-ball BGA package)
Boundary Scan Order (165-ball FBGA package)
Note
12.All voltages referenced to V
SS
(GND).
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1381FV25-133BGI | 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM |
| CY7C1381FV25-133BGXC | 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM |
| CY7C1381FV25-133BGXI | 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM |
| CY7C1383DV25 | 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM |
| CY7C1383DV25-100AXC | 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1381S-133AXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 CY7C1381S-133AXC RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1381XC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1382 WAF | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C138-25JC | 功能描述:IC SRAM 32KBIT 25NS 68PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 |
| CY7C138-25JXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 5V 4Kx8 COM CMOS Dual Port 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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