參數(shù)資料
型號(hào): CY7C1383DV25-100AXC
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: DRAM
英文描述: 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
中文描述: 1M X 18 CACHE SRAM, 8.5 ns, PQFP100
封裝: 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MS-026, TQFP-100
文件頁數(shù): 26/28頁
文件大小: 952K
代理商: CY7C1383DV25-100AXC
CY7C1381DV25, CY7C1381FV25
CY7C1383DV25, CY7C1383FV25
Document #: 38-05547 Rev. *E
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Figure 2. 119-Ball BGA (14 x 22 x 2.4 mm) (51-85115)
Package Diagrams
(continued)
51-85115-*B
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1383DV25-100AXI 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
CY7C1383DV25-100BZC 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
CY7C1383DV25-100BZI 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
CY7C1383DV25-100BZXC 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
CY7C1383DV25-100BZXI 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
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參數(shù)描述
CY7C1383F-133BZI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb (1Mb x 18) 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1383OFC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1383S-133AXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 CY7C1383S-133AXC RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1384D-166AXI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mbit Pipeline 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1385D-133AXI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mbit FloThru 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray