參數(shù)資料
型號(hào): CY7C1383FV25-100BGC
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: DRAM
英文描述: 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
中文描述: 1M X 18 CACHE SRAM, 8.5 ns, PBGA119
封裝: 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, BGA-119
文件頁數(shù): 10/28頁
文件大小: 952K
代理商: CY7C1383FV25-100BGC
CY7C1381DV25, CY7C1381FV25
CY7C1383DV25, CY7C1383FV25
Document #: 38-05547 Rev. *E
Page 10 of 28
Truth Table for Read/Write
[4, 9]
Function (CY7C1381DV25/CY7C1381FV25)
GW
BWE
BW
D
X
BW
C
X
BW
B
X
BW
A
X
Read
H
H
Read
H
L
H
H
H
H
Write Byte A (DQ
A
, DQP
A
)
Write Byte B (DQ
B
, DQP
B
)
Write Bytes A, B (DQ
A
, DQ
B
, DQP
A
, DQP
B
)
Write Byte C (DQ
C
, DQP
C
)
Write Bytes C, A (DQ
C
, DQ
A,
DQP
C
, DQP
A
)
Write Bytes C, B (DQ
C
, DQ
B,
DQP
C
, DQP
B
)
Write Bytes C, B, A (DQ
C
, DQ
B
, DQ
A,
DQP
C
,
DQP
B
, DQP
A
)
Write Byte D (DQ
D
, DQP
D
)
Write Bytes D, A (DQ
D
, DQ
A,
DQP
D
, DQP
A
)
Write Bytes D, B (DQ
D
, DQ
A,
DQP
D
, DQP
A
)
Write Bytes D, B, A (DQ
D
, DQ
B
, DQ
A,
DQP
D
,
DQP
B
, DQP
A
)
Write Bytes D, B (DQ
D
, DQ
B,
DQP
D
, DQP
B
)
Write Bytes D, B, A (DQ
D
, DQ
C
, DQ
A,
DQP
D
,
DQP
C
, DQP
A
)
Write Bytes D, C, A (DQ
D
, DQ
B
, DQ
A,
DQP
D
,
DQP
B
, DQP
A
)
Write All Bytes
H
L
H
H
H
L
H
L
H
H
L
H
H
L
H
H
L
L
H
L
H
L
H
H
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
L
H
H
L
H
L
L
L
H
L
L
H
H
H
H
L
L
H
H
L
H
L
L
H
L
H
H
L
L
H
L
L
H
L
L
L
H
H
H
L
L
L
H
L
H
L
L
L
L
H
H
L
L
L
L
L
Write All Bytes
L
X
X
X
X
X
Truth Table for Read/Write
[4, 9]
Function (CY7C1383DV25/CY7C1383FV25)
GW
BWE
BW
B
BW
A
Read
H
H
X
X
Read
H
L
H
H
Write Byte A – (DQ
A
and DQP
A
)
Write Byte B – (DQ
B
and DQP
B
)
Write All Bytes
H
L
H
L
H
L
L
H
H
L
L
L
Write All Bytes
L
X
X
X
Note
9. Table only lists a partial listing of the byte write combinations. Any combination of BW
X
is valid. Appropriate write will be done based on which byte write is active.
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1383FV25-100BGI 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
CY7C1383FV25-100BGXC 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
CY7C1383FV25-100BGXI 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
CY7C1383FV25-133BGC 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
CY7C1383FV25-133BGI 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1383OFC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1383S-133AXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 CY7C1383S-133AXC RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1384D-166AXI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mbit Pipeline 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1385D-133AXI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mbit FloThru 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1386-200AXCKJ 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: