參數(shù)資料
型號: CY7C1383FV25-133BGC
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: DRAM
英文描述: 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
中文描述: 1M X 18 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA119
封裝: 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, BGA-119
文件頁數(shù): 25/28頁
文件大?。?/td> 952K
代理商: CY7C1383FV25-133BGC
CY7C1381DV25, CY7C1381FV25
CY7C1383DV25, CY7C1383FV25
Document #: 38-05547 Rev. *E
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Package Diagrams
Figure 1. 100-Pin Thin Plastic Quad Flat pack (14 x 20 x 1.4 mm) (51-85050)
NOTE:
1. JEDEC STD REF MS-026
2. BODY LENGTH DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLD PROTRUSION/END FLASH
MOLD PROTRUSION/END FLASH SHALL NOT EXCEED 0.0098 in (0.25 mm) PER SIDE
BODY LENGTH DIMENSIONS ARE MAX PLASTIC BODY SIZE INCLUDING MOLD MISMATCH
3. DIMENSIONS IN MILLIMETERS
0.30±0.08
0.65
TYP.
2
2
1.40±0.05
12°±1°
(8X)
1.60 MAX.
0.05 MIN.
0.15 MAX.
0.60±0.15
0° MIN.
0.25
0°-7°
STAND-OFF
R 0.08 MIN.
0.20 MAX.
0.20 MAX.
R 0.08 MIN.
0.20 MAX.
14.00±0.10
16.00±0.20
0
SEE DETAIL
A
DETAIL
A
1
100
30
31
50
51
80
81
GAUGE PLANE
1.00 REF.
0.20 MIN.
SEATING PLANE
51-85050-*B
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1383FV25-133BGI 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
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CY7C1383FV25-133BGXI 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
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參數(shù)描述
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CY7C1384D-166AXI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18Mbit Pipeline 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1385D-133AXI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18Mbit FloThru 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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