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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1475V33-100BGXC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture |
| 中文描述： | 1M X 72 ZBT SRAM, 8.5 ns, PBGA209 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 1.76 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-209 |
| 文件頁數(shù)： | 7/30頁 |
| 文件大小： | 373K |
| 代理商： | CY7C1475V33-100BGXC |
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PRELIMINARY
CY7C1471V25
CY7C1473V25
CY7C1475V25
Document #: 38-05287 Rev. *E
Page 7 of 30
Pin Configurations
(continued)
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CY7C1475V25 (1M × 72)
209-ball PBGA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1475V33-133BGC | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture |
| CY7C1473V33-133BZXC | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture |
| CY7C1473V33-100AXC | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture |
| CY7C1473V33-100BZC | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture |
| CY7C1473V33-100BZXC | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1475V33-133BGC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 3.3V 72MBIT 1MX72 6.5NS 209FBGA - Bulk |
| CY7C14802BC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C14802XC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1480BV25-167AXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 72MB (2Mx36) 2.5v 167MHz Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1480BV25-167BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 72MB (2Mx36) 2.5v 167MHz Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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