參數(shù)資料
型號： CY7C1475V33-133BGC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture
中文描述： 1M X 72 ZBT SRAM, 6.5 ns, PBGA209
封裝： 14 X 22 MM, 1.76 MM HEIGHT, FBGA-209
文件頁數(shù)： 27/30頁
文件大?。?/td> 373K
代理商： CY7C1475V33-133BGC
PRELIMINARY
CY7C1471V25
CY7C1473V25
CY7C1475V25
Document #: 38-05287 Rev. *E
Page 27 of 30
Package Diagrams
100-pin Thin Plastic Quad Flatpack (14 x 20 x 1.4 mm) A101
51-85050-*A
相關PDF資料
PDF描述
CY7C1473V33-133BZXC 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture
CY7C1473V33-100AXC 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture
CY7C1473V33-100BZC 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture
CY7C1473V33-100BZXC 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture
CY7C1473V33-133AXC 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture
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CY7C1480BV25-167BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 72MB (2Mx36) 2.5v 167MHz Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1480BV25-200BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 72MB (2Mx36) 2.5v 200MHz 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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