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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1481V33 |
| 廠商： | Cypress Semiconductor Corp. |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 36/4M x 18/1M x 72 Flow-through SRAM |
| 中文描述： | 2米x 36/4M x 18/1M × 72流通過的SRAM |
| 文件頁數(shù)： | 15/30頁 |
| 文件大小： | 638K |
| 代理商： | CY7C1481V33 |
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PRELIMINARY
CY7C1481V33
CY7C1483V33
CY7C1487V33
Document #: 38-05284 Rev. *A
Page 15 of 30
TAP Electrical Characteristics
Over the Operating Range
[7, 8]
TAP Controller Block Diagram
0
0
1
2
.
.
29
30
31
Boundary Scan Register
Identification Register
0
1
2
.
.
.
.
.
0
1
2
Instruction Register
Bypass Register
Selection
Circuitry
Selection
Circuitry
TAP Controller
TDI
TDO
TCK
TMS
Parameter
V
OH1
V
OH2
V
OL1
V
OL2
V
IH
V
IL
I
X
Description
Test Conditions
I
OH
=
4.0 mA
I
OH
=
100
μ
A
I
OL
= 8.0 mA
I
OL
= 100
μ
A
Min.
2.4
3.0
Max.
Unit
V
V
V
V
V
V
μ
A
Output HIGH Voltage
Output HIGH Voltage
Output LOW Voltage
Output LOW Voltage
Input HIGH Voltage
Input LOW Voltage
Input Load Current
0.4
0.2
1.8
0.5
5
V
DD
+
0.3
0.8
5
GND
≤
V
I
≤
V
DDQ
TAP AC Switching Characteristics
Over the Operating Range
[9, 10]
Parameter
t
TCYC
t
TF
t
TH
t
TL
Notes:
7.
All Voltage referenced to Ground.
8.
Overshoot: V
(AC)<V
+1.5V for t<t
/2, Undershoot: V
(AC)<0.5V for t<t
/2, Power-up: V
<2.6V and V
DD
<2.4V and V
DDQ
<1.4V for t<200 ms.
9.
t
and t
refer to the set-up and hold time requirements of latching data from the boundary scan register.
10. Test conditions are specified using the load in TAP AC test conditions. t
R
/t
F
= 1 ns.
Description
Min.
100
Max
Unit
ns
MHz
ns
ns
TCK Clock Cycle Time
TCK Clock Frequency
TCK Clock HIGH
TCK Clock LOW
10
40
40
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1481V33-100AC | 2M x 36/4M x 18/1M x 72 Flow-through SRAM |
| CY7C1481V33-100BGC | 2M x 36/4M x 18/1M x 72 Flow-through SRAM |
| CY7C1481V33-100BZC | 2M x 36/4M x 18/1M x 72 Flow-through SRAM |
| CY7C1481V33-117AC | 2M x 36/4M x 18/1M x 72 Flow-through SRAM |
| CY7C1481V33-117BGC | 2M x 36/4M x 18/1M x 72 Flow-through SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1481V33-100AXI | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1482BV33-200BZI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 72MB (4Mx18) 4.6v 200MHz 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1482BV33-250BZI | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:2MX36, 3.3V SYNC PL SRAM - Bulk |
| CY7C148-35PC | 功能描述:1KX4 18-PIN POWER-DOWN SRAM RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) |
| CY7C148-45DC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:Static RAM, 1Kx4, 18 Pin, Ceramic, DIP |
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