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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1483V33-100BZI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM |
| 中文描述： | 4M X 18 CACHE SRAM, 8.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 24/30頁 |
| 文件大?。?/td> | 998K |
| 代理商： | CY7C1483V33-100BZI |
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CY7C1481V33
CY7C1483V33
CY7C1487V33
Document #: 38-05284 Rev. *H
Page 24 of 30
Figure 3. Read/Write Cycle Timing
[21, 23, 24]
Timing Diagrams
(continued)
tCYC
tCL
CLK
tADH
tADS
ADDRESS
t
CH
tAH
tAS
A2
tCEH
tCES
Single WRITE
D(A3)
A3
A4
BURST READ
Back-to-Back READs
High-Z
Q(A2)
Q(A4)
Q(A4+1)
Q(A4+2)
Q(A4+3)
tWEH
tWES
tOEHZ
tDH
tDS
tCDV
tOELZ
A1
A5
A6
D(A5)
D(A6)
Q(A1)
Back-to-Back
WRITEs
DON’T CARE
UNDEFINED
ADSP
ADSC
BWE, BW
X
CE
ADV
OE
Data In (D)
Data Out (Q)
Notes
23.The data bus (Q) remains in High-Z following a write cycle, unless a new read access is initiated by ADSP or ADSC.
24.GW is HIGH.
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1483V33-100BZXC | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM |
| CY7C1483V33-100BZXI | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM |
| CY7C1483V33-133AXC | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM |
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| CY7C1483V33-133BZI | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| CY7C1484BV33-250BZI | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1484BV33-250BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 72MB (2Mx36) 3.3v 250MHz 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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