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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1487V33-133BGI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM |
| 中文描述： | 1M X 72 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA209 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 1.76 MM HEIGHT, PLASTIC, FBGA-209 |
| 文件頁數(shù)： | 23/30頁 |
| 文件大?。?/td> | 998K |
| 代理商： | CY7C1487V33-133BGI |
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CY7C1481V33
CY7C1483V33
CY7C1487V33
Document #: 38-05284 Rev. *H
Page 23 of 30
Figure 2. Write Cycle Timing
[21, 22]
Timing Diagrams
(continued)
tCYC
tCL
CLK
tADH
tADS
ADDRESS
tCH
tAH
tAS
A1
tCEH
tCES
High-Z
BURST READ
BURST WRITE
D(A2)
D(A2 + 1)
D(A2 + 1)
D(A1)
D(A3)
D(A3 + 1)
D(A3 + 2)
D(A2 + 3)
A2
A3
Extended BURST WRITE
D(A2 + 2)
Single WRITE
tADH
tADS
tADH
tADS
tOEHZ
tADVH
tADVS
tWEH
tWES
tDH
tDS
t
WEH
tWES
Byte write signals are ignored for first cycle when
ADSP initiates burst
ADSC extends burst
ADV suspends burst
DON’T CARE
UNDEFINED
ADSP
ADSC
BWE, BW
X
GW
CE
ADV
OE
Data in (D)
Data Out (Q)
Note
22. Full width write can be initiated by either GW LOW; or by GW HIGH, BWE LOW, and BW
X
LOW.
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1487V33-133BGXC | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM |
| CY7C1487V33-150BGC | 2M x 36/4M x 18/1M x 72 Flow-through SRAM |
| CY7C1487V33-133BGC | 2M x 36/4M x 18/1M x 72 Flow-through SRAM |
| CY7C1483V33 | 2M x 36/4M x 18/1M x 72 Flow-through SRAM |
| CY7C1483V33-100AC | 2M x 36/4M x 18/1M x 72 Flow-through SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| CY7C150-10DC | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| CY7C150-15PC | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:4K (1K X 4)- 24 PIN 300 MIL SEPARATE I/O & RESET SRAM - Bulk |
| CY7C15025PC | 制造商:CYPRESS 功能描述:* |
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