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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CY7C1487V33 |
| 廠商： | Cypress Semiconductor Corp. |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 36/4M x 18/1M x 72 Flow-through SRAM |
| 中文描述： | 2米x 36/4M x 18/1M × 72流通過的SRAM |
| 文件頁數(shù)： | 22/30頁 |
| 文件大?。?/td> | 638K |
| 代理商： | CY7C1487V33 |
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PRELIMINARY
CY7C1481V33
CY7C1483V33
CY7C1487V33
Document #: 38-05284 Rev. *A
Page 22 of 30
Switching Waveforms
Write Cycle Timing
[19,20]
Notes:
19. WE is the combination of BWE, BWx, and GW to define a write cycle (see Write Cycle Descriptions table).
20. WDx stands for Write Data to Address X.
ADSP
CLK
ADSC
ADV
ADD
CE
1
OE
GW
WE
CE
2
CE
3
1a
Data In
t
CYC
t
CH
t
CL
t
ADS
t
ADH
t
ADS
t
ADH
t
ADVS
t
ADVH
WD1
WD2
WD3
t
AH
t
AS
t
WS
t
WH
t
WH
t
WS
t
CES
t
CEH
t
CES
t
CEH
t
CES
t
CEH
2b
3a
Single Write
Burst Write
Unselected
ADSP ignored with CE
1
inactive
CE
1
masks ADSP
= DON
’
T CARE
= UNDEFINED
Pipelined Write
2a
2c
2d
t
DH
t
DS
High-Z
High-Z
Unselected with CE
2
ADV Must Be Inactive for ADSP Write
ADSC initiated write
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1487V33-100BGC | 2M x 36/4M x 18/1M x 72 Flow-through SRAM |
| CY7C1487V33-117BGC | 2M x 36/4M x 18/1M x 72 Flow-through SRAM |
| CY7C149 | 1Kx4 Static RAM(1Kx4 靜態(tài) RAM) |
| CY7C1510AV18 | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1512AV18-200BZI | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C149 WAF | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C149-45PC | 功能描述:1KX4 18-PIN SRAM RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) |
| CY7C150-10DC | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| CY7C150-15PC | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:4K (1K X 4)- 24 PIN 300 MIL SEPARATE I/O & RESET SRAM - Bulk |
| CY7C15025PC | 制造商:CYPRESS 功能描述:* |
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