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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1510V18-167BZXC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 8M X 8 QDR SRAM, 0.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 21/27頁 |
| 文件大小： | 458K |
| 代理商： | CY7C1510V18-167BZXC |
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CY7C1510V18
CY7C1525V18
CY7C1512V18
CY7C1514V18
Document #: 38-05489 Rev. *D
Page 21 of 27
Thermal Resistance
[22]
Parameter
Θ
JA
Description
Test Conditions
FBGA
16.2
Unit
°
C/W
Thermal Resistance
(Junction to Ambient)
Thermal Resistance
(Junction to Case)
Test conditions follow standard test
methods and procedures for
measuring thermal impedance, per
EIA/JESD51.
Θ
JC
2.3
°
C/W
AC Test Loads and Waveforms
Note:
23.Unless otherwise noted, test conditions assume signal transition time of 2V/ns, timing reference levels of 0.75V, Vref = 0.75V, RQ = 250
, V
DDQ
= 1.5V, input
pulse levels of 0.25V to 1.25V, and output loading of the specified I
OL
/I
OH
and load capacitance shown in (a) of AC test loads.
1.25V
0.25V
R = 50
5 pF
ALL INPUT PULSES
Device
Under
Test
R
L
= 50
Z
0
= 50
V
REF
= 0.75V
V
REF
= 0.75V
[23]
0.75V
0.75V
Device
Under
Test
OUTPUT
0.75V
V
REF
V
REF
OUTPUT
ZQ
ZQ
(a)
Slew Rate = 2 V/ns
RQ =
250
(b)
RQ =
250
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1510V18-167BZXI | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1510V18-200BZI | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1510V18-200BZXC | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1510V18-200BZXI | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1510V18-250BZI | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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