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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1510V18-250BZXC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 8M X 8 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 15/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 458K |
| 代理商： | CY7C1510V18-250BZXC |
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CY7C1510V18
CY7C1525V18
CY7C1512V18
CY7C1514V18
Document #: 38-05489 Rev. *D
Page 15 of 27
TAP Controller Block Diagram
TAP Electrical Characteristics
Over the Operating Range
[16,19,11]
0
0
1
2
.
.
29
30
31
Boundary Scan Register
Identification Register
0
1
2
.
.
.
.
106
0
1
2
Instruction Register
Bypass Register
Selection
Circuitry
Selection
Circuitry
TAP Controller
TDI
TDO
TCK
TMS
Parameter
V
OH1
V
OH2
V
OL1
V
OL2
V
IH
V
IL
I
X
Note:
11. These characteristics pertain to the TAP inputs (TMS, TCK, TDI and TDO). Parallel load levels are specified in the Electrical Characteristics table.
Description
Test Conditions
I
OH
=
–2.0 mA
I
OH
=
–100
μ
A
I
OL
= 2.0 mA
I
OL
= 100
μ
A
Min.
1.4
1.6
Max.
Unit
V
V
V
V
V
V
μ
A
Output HIGH Voltage
Output HIGH Voltage
Output LOW Voltage
Output LOW Voltage
Input HIGH Voltage
Input LOW Voltage
Input and OutputLoad Current
0.4
0.2
0.65V
DD
–0.3
5
V
DD
+ 0.3
0.35V
DD
5
GND
≤
V
I
≤
V
DD
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1510V18-250BZXI | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1510V18-278BZC | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1510V18-278BZI | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1510V18-278BZXC | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1510V18-278BZXI | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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