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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1511V18-167BZXC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 8M X 8 QDR SRAM, 0.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 14/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 426K |
| 代理商： | CY7C1511V18-167BZXC |
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CY7C1511V18
CY7C1526V18
CY7C1513V18
CY7C1515V18
Document #: 38-05363 Rev. *D
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TAP Controller State Diagram
[12]
Note:
12.The 0/1 next to each state represents the value at TMS at the rising edge of TCK.
TEST-LOGIC
RESET
0
TEST-LOGIC/
IDLE
SELECT
DR-SCAN
CAPTURE-DR
SHIFT-DR
EXIT1-DR
PAUSE-DR
EXIT2-DR
UPDATE-DR
SELECT
IR-SCAN
CAPTURE-IR
SHIFT-IR
EXIT1-IR
PAUSE-IR
EXIT2-IR
UPDATE-IR
1
0
1
1
0
1
0
1
0
0
0
1
1
1
0
1
0
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[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1511V18-167BZXI | 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1511V18-200BZI | 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1511V18-200BZXC | 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1513V18-278BZC | 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1513V18-278BZI | 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C15121TC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C15121YC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C15121YC-GBBC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1512-20VC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1512-25SC | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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