參數(shù)資料
型號： CY7C1511V18-200BZI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture
中文描述： 8M X 8 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
文件頁數(shù)： 18/28頁
文件大?。?/td> 426K
代理商： CY7C1511V18-200BZI
CY7C1511V18
CY7C1526V18
CY7C1513V18
CY7C1515V18
Document #: 38-05363 Rev. *D
Page 18 of 28
Boundary Scan Order
Bit #
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Bump ID
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9G
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5B
5A
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Bump ID
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3J
2K
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1L
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Internal
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1511V18-200BZXC 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture
CY7C1513V18-278BZC 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture
CY7C1513V18-278BZI 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture
CY7C1513V18-278BZXC 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture
CY7C1513V18-278BZXI 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture
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參數(shù)描述
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CY7C1512-25SC 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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