參數(shù)資料
型號： CY7C1511V18-200BZI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture
中文描述： 8M X 8 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
文件頁數(shù)： 27/28頁
文件大小： 426K
代理商： CY7C1511V18-200BZI
CY7C1511V18
CY7C1526V18
CY7C1513V18
CY7C1515V18
Document #: 38-05363 Rev. *D
Page 27 of 28
QDR RAMs and Quad Data Rate RAMs comprise a new family of products developed by Cypress, Hitachi, IDT,NEC, and Samsung
technology. All product and company names mentioned in this document are the trademarks of their respective holders.
Package Diagram
A
1
PIN 1 CORNER
1
15.00±0.10
7
1.00
0.50
-0.06
0.25 M C A B
0.05 M C
B
A
0.15(4X)
0
1
SEATING PLANE
0
0
0
PIN 1 CORNER
TOP VIEW
BOTTOM VIEW
2
3
4
5
6
7
8
9
10
10.00
1
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
11
11
10
9
8
6
7
5
4
3
2
1
P
R
P
R
K
M
N
L
J
H
G
F
E
D
C
B
A
C
1
5.00
0
+0.14
SOLDER PAD TYPE : NON SOLDER MASK DEFINED (NSMD)
NOTES :
PACKAGE WEIGHT : 0.65g
JEDEC REFERENCE : MO-216 / DESIGN 4.6C
PACKAGE CODE : BB0AD
165-ball FBGA (15 x 17 x 1.40 mm) (51-85195)
51-85195-*A
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1511V18-200BZXC 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture
CY7C1513V18-278BZC 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture
CY7C1513V18-278BZI 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture
CY7C1513V18-278BZXC 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture
CY7C1513V18-278BZXI 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture
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參數(shù)描述
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CY7C1512-20VC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1512-25SC 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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