參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1511V18-200BZXC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture
中文描述： 8M X 8 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 16/28頁(yè)
文件大?。?/td> 426K
代理商： CY7C1511V18-200BZXC
CY7C1511V18
CY7C1526V18
CY7C1513V18
CY7C1515V18
Document #: 38-05363 Rev. *D
Page 16 of 28
Output Times
t
TDOV
t
TDOX
TCK Clock LOW to TDO Valid
TCK Clock LOW to TDO Invalid
10
ns
ns
0
TAP Timing and Test Conditions
[15]
TAP AC Switching Characteristics
Over the Operating Range
[14, 15]
(continued)
Parameter
Description
Min.
Max.
Unit
(a)
TDO
C
L
= 20 pF
Z
0
= 50
GND
0.9V
50
1.8V
0V
ALL INPUT PULSES
0.9V
Test Clock
TCK
Test Mode Select
TMS
Test Data-In
TDI
Test Data-Out
TDO
t
TCYC
t
TMSH
t
TL
t
TH
t
TMSS
t
TDIS
t
TDIH
t
TDOV
t
TDOX
Identification Register Definitions
Instruction Field
Revision Number
(31:29)
Cypress Device ID
(28:12)
Cypress JEDEC
ID (11:1)
Value
Description
Version
number.
CY7C1511V18
000
CY7C1526V18
000
CY7C1513V18
000
CY7C1515V18
000
11010011011000100 11010011011001100 11010011011010100 11010011011100100 Defines the
type of SRAM.
Allows unique
identification of
SRAM vendor.
Indicates the
presence of an
ID register.
00000110100
00000110100
00000110100
00000110100
ID Register
Presence (0)
1
1
1
1
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1513V18-278BZC 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture
CY7C1513V18-278BZI 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture
CY7C1513V18-278BZXC 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture
CY7C1513V18-278BZXI 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture
CY7C1513V18-300BZC 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture
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參數(shù)描述
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CY7C15121YC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
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