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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CY7C1512AV18-200BZI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 4M X 18 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 23/26頁 |
| 文件大小： | 1074K |
| 代理商： | CY7C1512AV18-200BZI |
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PRELIMINARY
CY7C1510AV18
CY7C1525AV18
CY7C1512AV18
CY7C1514AV18
Document #: 001-06984 Rev. *B
Page 23 of 26
Switching Waveforms
[29, 30, 31]
Read/Write/Deselect Sequence
Notes:
29.Q00 refers to output from address A0. Q01 refers to output from the next internal burst address following A0, i.e, A0+1.
30.Outputs are disabled (High-Z) one clock cycle after a NOP.
31.In this example, if address A2 = A1,then data Q20 = D10 and Q21 = D11. Write data is forwarded immediately as read results. This note applies to the whole
diagram
K
1
2
3
4
5
8
10
6
7
K
RPS
WPS
A
D
READ
READ
WRITE
WRITE
WRITE
NOP
READ
WRITE
NOP
9
A0
tKH
tKHKH
tKL
tCYC
t
tHC
tSAtHA
tSD
tHD
SC
tSAtHA
tSD
tHD
A6
A5
A3
A4
A1
A2
D30
D50
D51
D61
D31
D11
D10
D60
Q
C
C
DON’T CARE
UNDEFINED
t
CQ
CQ
tKHCH
tCO
tKHCH
tCLZ
CHZ
tKH
tKL
Q00
Q01
Q20
tKHKH
tCYC
Q21
Q40
Q41
tCQD
tDOH
tCCQO
tCQOH
tCCQO
tCQOH
tCQDOH
tCQH
tCQHCQH
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1512AV18-200BZXC | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1512AV18-200BZXI | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1512AV18-250BZC | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1512AV18-250BZI | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1512AV18-250BZXC | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1512AV18-200BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4Mx18 72M QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1512AV18-200BZXI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4Mx18 72M QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1512AV18250BZC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1512AV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4Mx18 72M QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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