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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CY7C1513V18-250BZXC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 4M X 18 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 16/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 426K |
| 代理商： | CY7C1513V18-250BZXC |
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CY7C1511V18
CY7C1526V18
CY7C1513V18
CY7C1515V18
Document #: 38-05363 Rev. *D
Page 16 of 28
Output Times
t
TDOV
t
TDOX
TCK Clock LOW to TDO Valid
TCK Clock LOW to TDO Invalid
10
ns
ns
0
TAP Timing and Test Conditions
[15]
TAP AC Switching Characteristics
Over the Operating Range
[14, 15]
(continued)
Parameter
Description
Min.
Max.
Unit
(a)
TDO
C
L
= 20 pF
Z
0
= 50
GND
0.9V
50
1.8V
0V
ALL INPUT PULSES
0.9V
Test Clock
TCK
Test Mode Select
TMS
Test Data-In
TDI
Test Data-Out
TDO
t
TCYC
t
TMSH
t
TL
t
TH
t
TMSS
t
TDIS
t
TDIH
t
TDOV
t
TDOX
Identification Register Definitions
Instruction Field
Revision Number
(31:29)
Cypress Device ID
(28:12)
Cypress JEDEC
ID (11:1)
Value
Description
Version
number.
CY7C1511V18
000
CY7C1526V18
000
CY7C1513V18
000
CY7C1515V18
000
11010011011000100 11010011011001100 11010011011010100 11010011011100100 Defines the
type of SRAM.
Allows unique
identification of
SRAM vendor.
Indicates the
presence of an
ID register.
00000110100
00000110100
00000110100
00000110100
ID Register
Presence (0)
1
1
1
1
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1513V18-250BZXI | 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1515V18-300BZC | 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1515V18-300BZI | 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1515V18-300BZXC | 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1515V18-300BZXI | 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1513V18-300BZC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 72MBIT 4MX18 0.45NS 165FBGA - Bulk |
| CY7C1513YC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1514AV18-167BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2M x 36 1.8V QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1514AV18-167BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2M x 36 1.8V QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1514AV18-200BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2M x 36 1.8V QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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