- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄379082 > CY7C1513V18-278BZI (CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP) 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1513V18-278BZI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 4M X 18 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 20/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 426K |
| 代理商： | CY7C1513V18-278BZI |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁當(dāng)前第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁
CY7C1511V18
CY7C1526V18
CY7C1513V18
CY7C1515V18
Document #: 38-05363 Rev. *D
Page 20 of 28
Maximum Ratings
(Above which the useful life may be impaired.)
Storage Temperature .................................–65°C to +150°C
Ambient Temperature with Power Applied..–55°C to +125°C
Supply Voltage on V
DD
Relative to GND........–0.5V to +2.9V
Supply Voltage on V
DDQ
Relative to GND ......–0.5V to +V
DD
DC Applied to Outputs in High-Z .........–0.5V to V
DDQ
+ 0.3V
DC Input Voltage
[22]
...............................–0.5V to V
DD
+ 0.3V
Current into Outputs (LOW).........................................20 mA
Static Discharge Voltage (MIL-STD-883, M. 3015)... >2001V
Latch-up Current..................................................... >200 mA
Operating Range
Range
Com’l
Ind’l
Ambient
Temperature (T
A
)
0°C to +70°C
–40°C to +85°C
V
DD
[18]
1.8 ± 0.1V
V
DDQ
[18]
1.4V to V
DD
Electrical Characteristics
Over the Operating Range
[19]
DC Electrical Characteristics
Over the Operating Range
Parameter
V
DD
V
DDQ
V
OH
V
OL
V
OH(LOW)
V
OL(LOW)
V
IH
V
IL
I
X
I
OZ
V
REF
I
DD
Description
Test Conditions
Min.
1.7
1.4
Typ.
1.8
1.5
Max.
1.9
V
DD
Unit
V
V
V
V
V
V
V
V
μ
A
μ
A
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
Power Supply Voltage
I/O Supply Voltage
Output HIGH Voltage
Output LOW Voltage
Output HIGH Voltage
Output LOW Voltage
Input HIGH Voltage
[22]
Input LOW Voltage
[22]
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Input Reference Voltage
[23]
V
DD
Operating Supply
Note 20
Note 21
I
OH
=
0.1 mA, Nominal Impedance
I
OL
= 0.1mA, Nominal Impedance
V
DDQ
/2 – 0.12
V
DDQ
/2 – 0.12
V
DDQ
– 0.2
V
SS
V
REF
+ 0.1
–0.3
5
5
0.68
V
DDQ
/2 + 0.12
V
DDQ
/2 + 0.12
V
DDQ
0.2
V
DDQ
+ 0.3
V
REF
– 0.1
5
5
0.95
700
750
850
900
950
340
360
380
390
400
GND
≤
V
I
≤
V
DDQ
GND
≤
V
I
≤
V
DDQ,
Output Disabled
Typical Value = 0.75V
V
DD
= Max., I
OUT
= 0 mA,
f = f
MAX
= 1/t
CYC
0.75
167 MHz
200 MHz
250 MHz
278 MHz
300 MHz
167 MHz
200 MHz
250 MHz
278 MHz
300 MHz
I
SB1
Automatic
Power-down
Current
Max. V
DD
, Both Ports
Deselected, V
IN
≥
V
IH
or
V
IN
≤
V
IL
f = f
MAX
= 1/t
CYC
,
Inputs Static
AC Input Requirements
Over the Operating Range
Parameter
V
IH
V
IL
Notes:
18.Power-up: Assumes a linear ramp from 0v to V
DD
(min.) within 200 ms. During this time V
IH
< V
DD
and V
DDQ
< V
DD
.
19.All Voltage referenced to Ground.
20.Output are impedance controlled. I
OH
=
(V
DDQ
/2)/(RQ/5) for values of 175 ohms <= RQ <= 350 ohms.
21.Output are impedance controlled. I
= (V
/2)/(RQ/5) for values of 175 ohms <= RQ <= 350 ohms.
22.Overshoot: V
(AC) < V
+ 0.85V (Pulse width less than t
/2), Undershoot: V
IL
(AC) >
1.5V (Pulse width less than t
CYC
/2).
23.V
REF
(min.) = 0.68V or 0.46V
DDQ
, whichever is larger, V
REF
(max.) = 0.95V or 0.54V
DDQ
, whichever is smaller.
Description
Test Conditions
Min.
Typ.
–
–
Max.
–
Unit
V
V
Input HIGH Voltage
Input LOW Voltage
V
REF
+ 0.2
–
V
REF
– 0.2
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1513V18-278BZXC | 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1513V18-278BZXI | 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1513V18-300BZC | 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1513V18-300BZI | 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1513V18-300BZXC | 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1513V18-300BZC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 72MBIT 4MX18 0.45NS 165FBGA - Bulk |
| CY7C1513YC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1514AV18-167BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 2M x 36 1.8V QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1514AV18-167BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 2M x 36 1.8V QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1514AV18-200BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 2M x 36 1.8V QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。