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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1513V18-300BZC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 4M X 18 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 23/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 426K |
| 代理商： | CY7C1513V18-300BZC |
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CY7C1511V18
CY7C1526V18
CY7C1513V18
CY7C1515V18
Document #: 38-05363 Rev. *D
Page 23 of 28
t
CQD
t
CQDOH
t
CQHQV
t
CQHQX
Echo Clock High to Data Valid
Echo Clock High to Data
Invalid
Clock (C and C) Rise to
High-Z
(Active to High-Z)
[27, 28]
Clock (C and C) Rise to
Low-Z
[27, 28]
0.27
–
0.27
–
–
0.30
–
–
0.35
–
–
0.40
–
ns
ns
–0.27
–0.27
–0.30
–0.35
–0.40
t
CHZ
t
CHQZ
–
0.45
–
0.45
–
0.45
–
0.45
–
0.50
ns
t
CLZ
t
CHQX1
–0.45
–
–0.45
–
–0.45
–
–0.45
–
–0.50
–
ns
DLL Timing
t
KC Var
t
KC lock
t
KC Reset
t
KC Var
t
KC lock
t
KC Reset
Clock Phase Jitter
DLL Lock Time (K, C)
K Static to DLL Reset
–
0.20
–
–
0.20
–
–
0.20
–
–
0.20
–
–
0.20
–
ns
1024
30
1024
30
1024
30
1024
30
1024
30
Cycles
ns
Switching Characteristics
Over the Operating Range
[25, 26]
Cypress
Parameter
Consortium
Parameter
Description
300 MHz
Min. Max. Min. Max. Min. Max. Min. Max. Min. Max.
278 MHz
250 MHz
200 MHz
167 MHz
Unit
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1513V18-300BZI | 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1513V18-300BZXC | 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1513V18-300BZXI | 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1515V18-167BZI | 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1515V18-167BZXC | 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1513YC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1514AV18-167BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2M x 36 1.8V QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1514AV18-167BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2M x 36 1.8V QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1514AV18-200BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2M x 36 1.8V QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1514AV18-200BZI | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2M x 36 1.8V QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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