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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1514V18-167BZXC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 2M X 36 QDR SRAM, 0.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 3/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 458K |
| 代理商： | CY7C1514V18-167BZXC |
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CY7C1510V18
CY7C1525V18
CY7C1512V18
CY7C1514V18
Document #: 38-05489 Rev. *D
Page 3 of 27
Logic Block Diagram (CY7C1512V18)
CLK
Gen.
A
(20:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
D
[17:0]
R
Read Data Reg.
RPS
WPS
BWS
[1:0]
Q
[17:0]
Control
Logic
Address
Register
Reg.
Reg.
Reg.
18
21
18
36
18
V
REF
W
18
A
(20:0)
21
C
C
18
2
2
Write
Reg
Write
Reg
CQ
CQ
18
DOFF
Logic Block Diagram (CY7C1514V18)
CLK
Gen.
A
(19:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
D
[35:0]
R
Read Data Reg.
RPS
WPS
BWS
[3:0]
Q
[35:0]
Control
Logic
Address
Register
Reg.
Reg.
Reg.
36
20
36
72
36
V
REF
W
36
A
(19:0)
20
C
C
36
1
1
Write
Reg
Write
Reg
CQ
CQ
36
DOFF
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1514V18-167BZXI | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1514V18-200BZI | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1514V18-200BZXC | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1514V18-200BZXI | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1514V18-250BZI | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1514V18200BZC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1514V18-200BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2M x 36 1.8V QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1514V18-200BZCES | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1514V18-200BZXC | 功能描述:IC SRAM 72MBIT 200MHZ 165TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| CY7C1514V18-200BZXI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2M x 36 1.8V QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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