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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1514V18-200BZI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 2M X 36 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 19/27頁 |
| 文件大小： | 458K |
| 代理商： | CY7C1514V18-200BZI |
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CY7C1510V18
CY7C1525V18
CY7C1512V18
CY7C1514V18
Document #: 38-05489 Rev. *D
Page 19 of 27
Power-Up Sequence in QDR-II SRAM
[14, 15]
QDR-II SRAMs must be powered up and initialized in a
predefined manner to prevent undefined operations.
Power-Up Sequence
Apply power and drive DOFF LOW (All other inputs can be
HIGH or LOW)
— Apply V
DD
before V
DDQ
— Apply V
DDQ
before V
REF
or at the same time as V
REF
After the power and clock (K, K, C, C) are stable take DOFF
HIGH
The additional 1024 cycles of clocks are required for the
DLL to lock.
DLL Constraints
DLL uses either K or C clock as its synchronizing input.The
input should have low phase jitter, which is specified as
t
KC Var
.
The DLL will function at frequencies down to 80MHz.
If the input clock is unstable and the DLL is enabled, then
the DLL may lock to an incorrect frequency, causing
unstable SRAM behavior
.
Notes:
14.It is recommended that the DOFF pin be pulled HIGH via a pull up resistor of 1 Kohm.
15.During Power-Up, when the DOFF is tied HIGH, the DLL gets locked after 1024 cycles of stable clock.
Power-up Waveforms
> 1024 Stable clock
Start Normal
Operation
DOFF
Stabl
e
(< +/- 0.1V DC per 50ns )
Fix High (or tied to VDDQ)
K
K
DDQ
V
DD
V
/
DDQ
DD
V
V
/
Clock Start
(
Clock Starts after DD
)
V
/
~
~
~
~
Unstable Clock
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1514V18-200BZXC | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1514V18-200BZXI | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1514V18-250BZI | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1514V18-250BZXC | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1514V18-250BZXI | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1514V18-200BZXC | 功能描述:IC SRAM 72MBIT 200MHZ 165TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| CY7C1514V18-200BZXI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 2M x 36 1.8V QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1514V18-200ZXC | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1514V18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 2M x 36 1.8V QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1514V18-250BZCES | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 72MBIT 2MX36 0.45NS 165FBGA - Bulk |
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