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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1515V18-250BZXI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 2M X 36 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 27/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 426K |
| 代理商： | CY7C1515V18-250BZXI |
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CY7C1511V18
CY7C1526V18
CY7C1513V18
CY7C1515V18
Document #: 38-05363 Rev. *D
Page 27 of 28
QDR RAMs and Quad Data Rate RAMs comprise a new family of products developed by Cypress, Hitachi, IDT,NEC, and Samsung
technology. All product and company names mentioned in this document are the trademarks of their respective holders.
Package Diagram
A
1
PIN 1 CORNER
1
15.00±0.10
7
1.00
0.50
-0.06
0.25 M C A B
0.05 M C
B
A
0.15(4X)
0
1
SEATING PLANE
0
0
0
PIN 1 CORNER
TOP VIEW
BOTTOM VIEW
2
3
4
5
6
7
8
9
10
10.00
1
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
11
11
10
9
8
6
7
5
4
3
2
1
P
R
P
R
K
M
N
L
J
H
G
F
E
D
C
B
A
C
1
5.00
0
+0.14
SOLDER PAD TYPE : NON SOLDER MASK DEFINED (NSMD)
NOTES :
PACKAGE WEIGHT : 0.65g
JEDEC REFERENCE : MO-216 / DESIGN 4.6C
PACKAGE CODE : BB0AD
165-ball FBGA (15 x 17 x 1.40 mm) (51-85195)
51-85195-*A
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1515V18-278BZC | 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1515V18-278BZI | 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1515V18-278BZXC | 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1515V18-278BZXI | 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1511V18-250BZI | 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1515ZC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1518-250BZC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1518AV18-167BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4M x 18 1.8V DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1518AV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4M x 18 1.8V DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1518AV18-250BZI | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4M x 18 1.8V DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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