參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1522AV18-200BZXC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture
中文描述： 8M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 24/28頁(yè)
文件大小： 1133K
代理商： CY7C1522AV18-200BZXC
PRELIMINARY
CY7C1522AV18
CY7C1529AV18
CY7C1523AV18
CY7C1524AV18
Document #: 001-06981 Rev. *B
Page 24 of 28
Switching Waveforms
[29, 30, 31]
Notes:
29.Q00 refers to output from address A0. Q01 refers to output from the next internal burst address following A0, i.e., A0+1.
30.Outputs are disabled (High-Z) one clock cycle after a NOP.
31.In this example, if address A2 = A1,then data Q20 = D10 and Q21 = D11. Write data is forwarded immediately as read results. This note applies to the whole diagram
K
1
2
3
4
5
6
7
8
K
LD
R/W
A
Q
D
C
C#
READ
(burst of 2)
READ
(burst of 2)
READ
(burst of 2)
WRITE
(burst of 2)
WRITE
(burst of 2)
tKHCH
tKHCH
NOP
NOP
CQ
CQ#
tKH
tKHKH
tCO
tKL
tCYC
t
tHC
tSA
tHA
tSD
tHD
tSD
tHD
tCLZ
tDOH
SC
tKH
tKHKH
tKL
tCYC
tCQD
tCCQO
tCQOH
tCCQO
tCQOH
DON’T CARE
UNDEFINED
A0
A1
A2
A3
A4
D20
D21
D30
D31
Q40
Q11
Q10
Q41
Q00
Q01
tCQDOH
t
CQH
t
CQHCQH
tCHZ
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1522AV18-200BZXI 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1522AV18-250BZC 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1522AV18-250BZI 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1522AV18-250BZXC 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1522AV18-250BZXI 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1523AV18-200BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4M x 18 1.8V DDR II SIO 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1523AV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4M x 18 1.8V DDR II SIO 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1523JV18-300BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4Mbx18 72Mb 1.7-1.9V 300 MHz 2 WORD BURST RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1523KV18-250BZ 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1523KV18-250BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 72MB (4Mx18) 1.8v 250MHz DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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